[發明專利]半導體接合焊盤結構以及集成電路有效
| 申請號： | 201210191448.7 | 申請日： | 2012-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN102683313B | 公開（公告）日： | 2017-03-08 |
| 發明（設計）人： | 黎坡 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 接合 盤結 以及 集成電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體接合焊盤結構，其特征在于包括：中心部分以及外周部分；其中，所述中心部分為裸露出的金屬薄膜；所述外周部分的表面上布置了鈍化層，并且在所述外周部分中形成有通孔；并且，所述中心部分的外周布置了凹槽；并且，所述中心部分的每個凹槽外周均布置了凹槽鎢墻。
2.根據權利要求1所述的半導體接合焊盤結構，其特征在于，在所述半導體接合焊盤結構外周布置了外周鎢墻。
3.根據權利要求1或2所述的半導體接合焊盤結構，其特征在于，所護外周部分中形成有通孔矩陣。
4.根據權利要求1或2所述的半導體接合焊盤結構，其特征在于，所述金屬薄膜是鋁膜。
5.根據權利要求1或2所述的半導體接合焊盤結構，其特征在于，在半導體接合焊盤結構的中心部分的外周的四面均布置了凹槽。
6.一種采用了根據權利要求1至5之一所述的半導體接合焊盤結構的集成電路。
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