[發明專利]通過負電荷泵在背柵接負電壓的SOI/MOS器件結構及制造方法

有效

• 申請號: 201210190910.1
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN102709296A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 周昕杰;羅靜;陳嘉鵬;王棟;洪根深
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.?通過負電荷泵在背柵接負電壓的SOI/MOS器件結構，其特征是，包括：二氧化硅埋氧化層（2）位于背部硅襯底（1）上，二氧化硅埋氧化層（2）上設有硅體區（3）、負電荷泵輸出器件的單晶硅源/漏區（5）、二氧化硅隔離的場區（4），負電荷泵輸出器件的單晶硅源/漏區（5）位于硅體區（3）的周圍，二氧化硅隔離的場區（4）位于負電荷泵輸出器件的單晶硅源/漏區（5）周圍；在硅體區（3）上覆蓋有負電荷泵輸出器件的二氧化硅柵介質層（6），所述負電荷泵輸出器件的二氧化硅柵介質層（6）上覆蓋有負電荷泵輸出器件的多晶硅柵（7），在負電荷泵輸出器件的單晶硅源/漏區（5）和負電荷泵輸出器件的多晶硅柵（7）上設有鎢合金通孔（9），貫穿二氧化硅隔離的場區（4）、二氧化硅埋氧化層（2）直到背部硅襯底（1）也設有鎢合金通孔（9），所述鎢合金通孔（9）將器件的有源區與鋁金屬互連線（8）連接；在器件表面覆蓋二氧化硅鈍化層（10）；負電壓從負電荷泵的輸出器件的單晶硅源/漏區（5），經過鎢合金通孔（9）以及鋁金屬互連線（8），加在背部硅襯底（1）上。

2.通過負電荷泵在背柵接負電壓的SOI/MOS器件的制造方法，其特征是，首先在背部硅襯底（1）上形成二氧化硅埋氧化層（2），在二氧化硅埋氧化層（2）上形成硅體區（3）和二氧化硅隔離的場區（4）；然后在硅體區（3）上通過氧化，形成二氧化硅的柵介質層(6)；在柵介質層（6）上淀積多晶硅柵（7）；接著，通過離子注入手段，在硅體區（3）周圍形成MOS器件的單晶硅源/漏區即負電荷泵輸出器件的源/漏區（5），一個基本的MOS器件就形成了；然后，在形成的MOS器件表面淀積二氧化硅形成二氧化硅鈍化層（10）；接著，為形成連接，通過刻蝕和淀積工藝，形成鎢合金通孔(9)；再利用金屬互連線（8）將MOS器件與有效的電壓進行連接；最后再次淀積，生成二氧化硅鈍化層（10）。