[發明專利]制備單斜相Ga2S3晶體的方法無效
| 申請號： | 201210190280.8 | 申請日： | 2012-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN102701269A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 張明建;郭國聰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 單斜 ga2s3 晶體 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單斜相Ga2S3的高溫固相硼硫化制備方法，包括如下步驟：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩爾比例混合研磨，壓片裝入真空石英管，以30～40?℃/h的速率升溫至950?℃，恒溫72-144小時，再以2～6?℃/h的速率降溫至250?℃，用熱水洗掉副產物B2O3，可得單斜相Ga2S3微晶。
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