[發明專利]一種應力記憶技術方法

在審

• 申請號: 201210190197.0
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN103489777A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種應力記憶技術方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上沉積形成具有鍺含量呈梯度分布的多晶硅柵極；

在所述襯底中形成源漏極；

形成覆蓋所述襯底和所述柵極的應力記憶層；

執行熱退火。

2.根據權利要求1所述的方法，其中沉積形成具有鍺含量呈梯度分布的多晶硅柵極的步驟中使用的氣體包含GeH4。

3.根據權利要求2所述的方法，其中在沉積過程中通入GeH4氣體的量逐漸減少。

4.根據權利要求1所述的方法，其中呈梯度分布的鍺的含量靠近溝道較高。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述應力記憶層為氮化硅、二氧化硅、摻雜的氮化硅或摻雜的氧化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述熱退火為快速熱退火或激光退火。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在所述熱退火之后，還包括去除所述應力記憶層的步驟。