[發明專利]單面三維線路芯片正裝先蝕后封制造方法及其封裝結構

有效

• 申請號: 201210189936.4
• 申請日: 2012-06-09
• 公開（公告）號: CN102723285A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;李維平
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術領域

本發明涉及一種單面三維線路芯片正裝先蝕后封制造方法及其封裝結構。屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

傳統的高密度基板封裝結構的制造工藝流程如下所示：

步驟一、參見圖91，取一玻璃纖維材料制成的基板，

步驟二、參見圖92，在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔，

步驟三、參見圖93，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔，

步驟四、參見圖94，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導電物質，

步驟五、參見圖95，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，

步驟六、參見圖96，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，

步驟七、參見圖97，將光阻膜在需要的位置進行曝光顯影開窗，

步驟八、參見圖98，將完成開窗的部分進行蝕刻，

步驟九、參見圖99，將基板表面的光阻膜剝除，

步驟十、參見圖100，在銅箔線路層的表面進行防焊漆（俗稱綠漆）的披覆，

步驟十一、參見圖101，在防焊漆需要進行后工序的裝片以及打線鍵合的區域進行開窗，

步驟十二、參見圖102，在步驟十一進行開窗的區域進行電鍍，相對形成基島和引腳，

步驟十三、完成后續的裝片、打線、包封、切割等相關工序。

上述傳統高密度基板封裝結構存在以下不足和缺陷：

1、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；

2、因為必須要用到玻璃纖維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約100~150μm的厚度空間；

3、玻璃纖維本身就是一種發泡物質，所以容易因為放置的時間與環境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級；

4、玻璃纖維表面被覆了一層約50~100μm的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因為蝕刻因子的特性只能做到50~100μm的蝕刻間隙（蝕刻因子:?最好制做的能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度，參見圖103），所以無法真正的做到高密度線路的設計與制造；

5、因為必須要使用到銅箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50μm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；

6、也因為整個基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度100~150μm，無法真正的做到超薄的封裝；

7、傳統玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術因為材質特性差異很大（膨脹系數），在惡劣環境的工序中容易造成應力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性。

發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種單面三維線路芯片正裝先蝕后封制造方法及其封裝結構，其工藝簡單，不需使用玻璃纖維層，減少了制作成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設計和制造。

本發明的目的是這樣實現的：一種單面三維線路芯片正裝先蝕后封制造方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅

在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜；

步驟三、貼光阻膜作業

在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上惰性金屬線路層；

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層；

步驟七、去除光阻膜

步驟八、包封

將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封；

步驟九、貼光阻膜作業

在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十、塑封料表面開孔

在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行開孔作業；

步驟十一、挖溝槽

在塑封料表面進行后續電路線的挖溝槽動作；

步驟十二、電鍍導電金屬

在金屬基板背面電鍍一層導電金屬；

步驟十三、金屬化前處理

在基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理；