[發明專利]單面三維線路芯片正裝先蝕后封制造方法及其封裝結構

有效

• 申請號: 201210189936.4
• 申請日: 2012-06-09
• 公開（公告）號: CN102723285A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠;李維平
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;C25D5/10;C25D5/02;C25D7/00
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單面三維線路芯片正裝先蝕后封制造方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、金屬基板表面預鍍銅

在金屬基板表面鍍一層銅材薄膜；

步驟三、貼光阻膜作業

在完成預鍍銅材薄膜的金屬基板正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟四、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟三完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；

步驟五、電鍍惰性金屬線路層

在步驟四中金屬基板背面去除部分光阻膜的區域內電鍍上惰性金屬線路層；

步驟六、電鍍金屬線路層

在步驟五中的惰性金屬線路層表面鍍上多層或是單層金屬線路層；

步驟七、去除光阻膜

步驟八、包封

將步驟七中的金屬基板背面采用塑封料進行塑封；

步驟九、貼光阻膜作業

在步驟八的金屬基板正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十、塑封料表面開孔

在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行開孔作業；

步驟十一、挖溝槽

在塑封料表面進行后續電路線的挖溝槽動作；

步驟十二、電鍍導電金屬

在金屬基板背面電鍍一層導電金屬；

步驟十三、金屬化前處理

在基板背面進行電鍍金屬線路層的金屬化前處理；

步驟十四、電鍍金屬線路層

在步驟十三中的金屬基板背面鍍上多層或是單層金屬線路層；

步驟十五、去除光阻膜

步驟十六、包封

將步驟十五中的金屬基板背面再塑封一層塑封料；

步驟十七、貼光阻膜作業

在金屬基板的正面以及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟十八、金屬基板正面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟十七完成貼光阻膜作業的金屬基板正面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；

步驟十九、化學蝕刻

將步驟十八中完成曝光顯影的區域進行化學蝕刻；

步驟二十、電鍍金屬線路層

在惰性金屬線路層表面鍍上單層或是多層的金屬線路層，金屬電鍍完成后即在金屬基板上形成相應的引腳或基島和引腳或基島、引腳和靜電釋放圈；

步驟二十一、去除光阻膜

步驟二十二、涂覆粘結物質

當步驟二十一僅形成引腳時，在引腳表面涂覆導電或是不導電的粘結物質，當步驟二十一僅形成基島和引腳或基島、引腳和靜電釋放圈時，在基島表面涂覆導電或是不導電的粘結物質；

步驟二十三、裝片

在步驟二十二的基島或引腳上植入芯片；

步驟二十四、金屬線鍵合

在芯片正面與引腳正面之間或芯片正面與靜電釋放圈正面之間進行鍵合金屬線作業；

步驟二十五、包封

將完成裝片打線后的金屬基板正面進行塑封料包封工序；

步驟二十六、塑封料表面開孔

在金屬基板背面預包封塑封料的表面進行后續要植金屬球的區域進行開孔作業；

步驟二十七、清洗

在金屬基板背面塑封料開孔處進行氧化物質、有機物質的清洗；

步驟二十八、植球

在金屬基板背面塑封體開孔處內植入金屬球；

步驟二十九、切割成品

將步驟二十八完成植球的半成品進行切割作業，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來，制得單芯片正裝先蝕刻后封裝基島埋入封裝結構，可采用常規的鉆石刀片以及常規的切割設備即可。

2.一種如權利要求1所述的單面三維線路芯片正裝先蝕后封封裝結構，其特征在于它包括引腳（17），所述引腳（17）正面通過導電或不導電粘結物質（10）設置有芯片（11），所述芯片（11）正面與引腳（17）正面之間用金屬線（12）相連接，所述引腳（17）與引腳（17）之間的區域、引腳（17）上部的區域、引腳（17）下部的區域以及芯片（11）和金屬線（12）外均包封有塑封料（6），所述引腳（17）背面的塑封料（6）上開設有第二小孔（13），所述第二小孔（13）與引腳（17）背面相連通，所述第二小孔（13）內設置有金屬球（15），所述金屬球（15）與引腳（17）背面相接觸。