[發明專利]三維集成電路的制造方法有效
| 申請號: | 201210189854.X | 申請日: | 2012-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN103021960A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 林俊成;吳文進;施應慶;洪瑞斌;盧思維;鄭心圃;余振華 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/98 | 分類號: | H01L21/98 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維集成電路 制造 方法 | ||
1.一種方法,包括:
提供疊層,其中,將多個半導體管芯安裝在晶圓的第一面上方;
模塑料層形成在所述晶圓的所述第一面上方,其中,所述多個半導體管芯內嵌在所述模塑料層中;
薄化所述晶圓的第二面直到暴露多個通孔;
將疊層附接至帶框;以及
切割所述疊層,從而將所述疊層分成多個獨立封裝件。
2.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
將第一底部填充層形成在所述晶圓和所述多個半導體管芯之間。
3.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
將所述多個通孔形成在所述晶圓中;
將多個第一凸塊形成在所述晶圓的所述第一面上方;以及
將第一再分布層形成在所述晶圓的所述第一面上方。
4.根據權利要求3所述的方法,其中,所述多個半導體管芯通過所述多個第一凸塊和所述第一再分布層連接至所述晶圓。
5.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
將多個第二凸塊形成在所述晶圓的所述第二面上方;以及
將第二再分布層形成在所述晶圓的所述第二面上方。
6.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
將所述帶框與每個獨立封裝件分離。
7.根據權利要求6所述的方法,進一步包括:
將所述獨立封裝件附接至所述襯底上。
8.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
將保護層形成在所述模塑料層的外邊緣和所述疊層的外邊緣之間。
9.一種方法,包括:
提供疊層,其中,將多個半導體管芯安裝在晶圓的第一面上方,其中,所述晶圓包括多個通孔;
將模塑料層形成在所述晶圓的所述第一面上方,其中,將所述多個半導體管芯內嵌在所述第一模塑料層中;
擴展所述模塑料層,以覆蓋所述晶圓的外邊緣;
薄化所述晶圓的第二面,從而暴露所述多個通孔;
將所述疊層附接至帶框;以及
切割所述疊層,從而將所述疊層分成多個獨立封裝件。
10.一種結構,包括:
基板;以及
疊層,被安裝在所述基板上方,包括:
多個半導體管芯,接合在管芯的第一面上方;以及
模塑料層,形成在所述管芯的所述第一面上方并覆蓋所述管芯的外邊緣,其中,將所述多個半導體管芯內嵌在所述模塑料層中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210189854.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:直射式紅外線快速加熱器
- 下一篇:一種新型復合吸塑模具
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





