[發明專利]一種薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201210189705.3
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103489918A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 孫雙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/45;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點而備受關注，在平板顯示領域中占據了主導地位，被廣泛的應用到各行各業中。對于TFT-LCD來說，陣列基板的制造工藝決定了其產品的性能、良率和成本。為了能夠有效的降低TFT-LCD的制造成本、提高良率，TFT-LCD陣列基板的制造工藝已從開始的七次掩模工藝發展到采用灰度掩模板技術的四次工藝。

現有技術中采用四次掩模工藝形成TFT-LCD陣列基板的制造方法中，薄膜晶體管(TFT)溝道形成的步驟包括：首先采用干刻或濕刻工藝刻蝕掉溝道處的金屬層，再采用干刻工藝刻蝕掉溝道處的歐姆接觸層，為了保證溝道處的歐姆接觸層完全被去除掉，一般都需要進行過刻，刻蝕掉一部分半導體層，所以半導體層的厚度一般做的比較厚。而厚的半導體層又會使TFT的關態電流增大，從而影響TFT的開關特性。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：提供一種可以克服現有技術中半導體層較厚而造成的TFT關態電流過大從而影響TFT的開關性能的薄膜晶體管和陣列基板及其制造方法。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本發明提供一種薄膜晶體管，包括基板和依次覆蓋在基板上的柵極、柵極絕緣層、半導體層、保護層、歐姆接觸層、源電極和漏電極；半導體層上方的保護層有兩個過孔，過孔處的半導體層覆蓋有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極通過過孔處的歐姆接觸層與所述半導體層連接。

進一步地，所述柵極、柵極絕緣層和半導體層的形狀一致。

進一步地，所述源電極、漏電極與所述歐姆接觸層的形狀一致。

本發明還提供了一種包括上述任一種薄膜晶體管的陣列基板，該陣列基板還包括鈍化層、像素電極、柵線和數據線，所述像素電極與所述漏電極連接，所述柵線與所述柵極連接；所述數據線與所述源電極連接。

一種制作上述陣列基板的方法，包括如下步驟：

S1、在基板上形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導體層的圖形；

S2、形成保護層的圖形，所述保護層在與所述半導體層相對的位置形成有兩個過孔；

S3、形成包括歐姆接觸層、數據線、源電極、漏電極的圖形，其中，所述過孔處的半導體層上形成有歐姆接觸層；所述源電極和漏電極與所述歐姆接觸層連接；

S4、形成鈍化層的圖形，其中所述鈍化層包括柵線接口過孔和數據線接口過孔的圖形；

S5、形成像素電極的圖形。

其中，步驟S1具體包括：

S101、在基板上依次形成柵極金屬薄膜、柵極絕緣層薄膜和半導體層薄膜；

S102、形成一層光刻膠；

S103、采用灰度掩模或半色調掩摸工藝進行曝光顯影，使柵極區域的光刻膠完全保留，柵線區域的光刻膠部分保留，其余部分的光刻膠完全去除；

S104、經過多步刻蝕形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導體層的圖形，剝離掉剩余的光刻膠。

其中，步驟S2具體包括：

S201、在完成步驟S1的基板上形成一層保護層薄膜；

S202、形成一層光刻膠；

S203、采用普通掩模工藝進行曝光顯影，使保護層上過孔位置的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留；

S204、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區域的保護層，形成保護層過孔；剝離掉剩余的光刻膠。

其中，步驟S3具體包括：

S301、在完成步驟S2的基板上連續形成摻雜半導體薄膜和漏源金屬薄膜；

S302、形成一層光刻膠；

S303、采用普通掩模工藝進行曝光顯影，使數據線、源電極和漏電極區域的光刻膠完全保留；其余部分的光刻膠完全去除；

S304、采用干刻工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區域的漏源金屬薄膜和摻雜半導體薄膜，形成包括歐姆接觸層、數據線、源電極、漏電極的圖形；剝離掉剩余的光刻膠。

其中，步驟S4具體包括：

S401、在完成步驟S3的基板上形成鈍化層薄膜；

S402、形成一層光刻膠；

S403、采用普通掩模工藝進行曝光顯影，使柵線接口過孔、數據線接口過孔和像素電極區域的光刻膠完全去除，其余部分的光刻膠完全保留；