[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210189571.5
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103293797A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹兆鏗
• 申請（專利權(quán)）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體的涉及一種薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制作方法。

背景技術(shù)

信息化社會越來越需要輕薄便攜式的顯示設(shè)備，而當(dāng)前最成熟的產(chǎn)品就是液晶顯示裝置（Liquid?Crystal?Display，LCD）了。液晶顯示裝置是非主動發(fā)光器件，在液晶顯示裝置工作時，位于液晶面板后面的背光源發(fā)出光線，同時會有電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據(jù)所作用的電壓改變液晶分子的排列，控制通過液晶的光量從而達(dá)到顯示圖像的效果。

薄膜晶體管液晶顯示裝置的陣列基板一般是通過薄膜沉積和光刻工藝實(shí)現(xiàn)的，每次光刻過程都會用到一塊掩膜版，所以為了提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本，必須要減少光刻次數(shù)。然而，隨著信息社會的不斷發(fā)展，液晶顯示裝置的信息容量不斷提升，其像素的分辨率也在不斷提升，相應(yīng)的，每個像素的面積越來越小。針對像素變小帶來的顯示裝置顯示畫面的閃爍等風(fēng)險(xiǎn)，大多公司采用增加一次光刻過程，制作透明電極作為存儲電容的附加層的方法。

現(xiàn)有的上述薄膜晶體管液晶顯示裝置陣列基板的制作方法為：

首先，在玻璃基板表面上淀積形成透明電極層，通過第一次光刻過程形成透明電極；隨后淀積第一金屬層，通過第二次光刻過程形成掃描線、柵極和存儲電極線；然后在形成有掃描線、柵極和存儲電極線的基板表面上依次淀積柵極絕緣層、非晶硅半導(dǎo)體有源層、n+摻雜非晶硅層，通過第三次光刻過程形成非晶硅有源島；之后，在形成有柵極絕緣層和非晶硅有源島的基板表面上淀積第二金屬層，通過第三次光刻過程形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極；然后在已形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極的基板表面上淀積鈍化層，通過第五次光刻過程，形成過孔；最后在鈍化層表面上淀積透明像素電極層，通過第六次光刻過程，形成像素電極。

如圖1所示，現(xiàn)有的具有透明電極的薄膜晶體管液晶顯示裝置，包括：

掃描線G1，掃描線G2，透明電極1，遮光電極2，存儲電極線3，數(shù)據(jù)線S1，數(shù)據(jù)線S2，源極4，漏極5，柵極6，硅島7，像素電極8。

數(shù)據(jù)線、掃描線和存儲電極線定義出一個像素區(qū)，在掃描線和數(shù)據(jù)線交叉的位置處設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與掃描線電連接，所述薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管的漏極與像素電極電連接，遮光電極與存儲電極線電連接并和像素電極重疊，形成存儲電容，同時透明電極也和存儲電極線電連接并與像素電極重疊，形成存儲電容。可見，此時陣列基板的存儲電容較大，提高了畫面品質(zhì)。

但是，現(xiàn)有的具有透明電極的薄膜晶體管液晶顯示裝置的開口率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制作方法，以解決現(xiàn)有的具有透明電極的薄膜晶體管液晶顯示裝置開口率較低的問題。

該薄膜晶體管液晶顯示裝置，包括基板、多個像素區(qū)、多行掃描線和與所述多行掃描線交叉的多列數(shù)據(jù)線，每一所述像素區(qū)由相鄰兩行掃描線和相鄰兩列數(shù)據(jù)線圍成，每個像素區(qū)內(nèi)包括：

薄膜晶體管、透明電極和像素電極，所述像素電極通過所述薄膜晶體管與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線耦接，所述像素電極與所述透明電極交疊且絕緣，所述像素電極與前一行掃描線或后一行掃描線相交疊；

遮光電極，所述遮光電極與所述像素電極絕緣且所述遮光電極與所述像素電極的邊緣至少有部分交疊，所述遮光電極與所述數(shù)據(jù)線絕緣且交疊；

所述透明電極和所述遮光電極均與所述前一行掃描線電連接或均與后一行掃描線電連接。

優(yōu)選的，所述像素電極與前一行掃描線相交疊時，所述透明電極和所述遮光電極也均與所述前一行掃描線電連接；所述像素電極與后一行掃描線相交疊時，所述透明電極和所述遮光電極均與所述后一行掃描線電連接。

優(yōu)選的，所述像素電極設(shè)置在所述透明電極上方。

優(yōu)選的，所述遮光電極設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線正下方。

優(yōu)選的，所述掃描線和遮光電極位于第一金屬層。

優(yōu)選的，所述透明電極設(shè)置在一基板表面上。

優(yōu)選的，所述掃描線和遮光電極設(shè)置在所述透明電極表面上。

優(yōu)選的，所述掃描線、遮光電極和透明電極均設(shè)置在一基板表面上，且所述透明電極與所述掃描線、遮光電極均無交疊。

優(yōu)選的，所述掃描線、遮光電極和部分透明電極均設(shè)置在一基板表面上，且所述透明電極分別與所述掃描線和/或遮光電極有部分交疊，在所述交疊部分，所述透明電極位于所述掃描線和/或遮光電極表面上。

優(yōu)選的，所述掃描線、遮光電極和透明電極表面上覆蓋有柵極絕緣層。