[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210189571.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN103293797A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹兆鏗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種薄膜晶體管液晶顯示裝置，包括基板、多個(gè)像素區(qū)、多行掃描線和與所述多行掃描線交叉的多列數(shù)據(jù)線，每一所述像素區(qū)由相鄰兩行掃描線和相鄰兩列數(shù)據(jù)線圍成，其特征在于，每個(gè)像素區(qū)內(nèi)包括：

薄膜晶體管、透明電極和像素電極，所述像素電極通過所述薄膜晶體管與所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線耦接，所述像素電極與所述透明電極交疊且絕緣，所述像素電極與前一行掃描線或后一行掃描線相交疊；

遮光電極，所述遮光電極與所述像素電極絕緣且所述遮光電極與所述像素電極的邊緣至少有部分交疊，所述遮光電極與所述數(shù)據(jù)線絕緣且交疊；

所述透明電極和所述遮光電極均與所述前一行掃描線電連接或均與后一行掃描線電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示裝置，其特征在于，所述像素電極與前一行掃描線相交疊時(shí)，所述透明電極和所述遮光電極也均與所述前一行掃描線電連接；所述像素電極與后一行掃描線相交疊時(shí)，所述透明電極和所述遮光電極均與所述后一行掃描線電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述顯示裝置，其特征在于，所述像素電極設(shè)置在所述透明電極上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述顯示裝置，其特征在于，所述遮光電極設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線正下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述顯示裝置，其特征在于，所述掃描線和遮光電極位于第一金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述顯示裝置，其特征在于，所述透明電極設(shè)置在一基板表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述顯示裝置，其特征在于，所述掃描線和遮光電極設(shè)置在所述透明電極表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述顯示裝置，其特征在于，所述掃描線、遮光電極和透明電極均設(shè)置在一基板表面上，且所述透明電極與所述掃描線、遮光電極均無交疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述顯示裝置，其特征在于，所述掃描線、遮光電極和部分透明電極均設(shè)置在一基板表面上，且所述透明電極分別與所述掃描線和/或遮光電極有部分交疊，在所述交疊部分，所述透明電極位于所述掃描線和/或遮光電極表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述顯示裝置，其特征在于，所述掃描線、遮光電極和透明電極表面上覆蓋有柵極絕緣層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述顯示裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線位于第二金屬層，且所述第二金屬層位于所述柵極絕緣層表面上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述顯示裝置，其特征在于，在所述柵極絕緣層和數(shù)據(jù)線表面上覆蓋有鈍化層，且所述鈍化層內(nèi)設(shè)置有過孔。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述顯示裝置，其特征在于，還包括：

掃描線輸入端子，所述掃描線輸入端子位于第一金屬層；

數(shù)據(jù)線輸入端子，所述數(shù)據(jù)線輸入端子位于第二金屬層。

14.一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板表面上淀積有第一透明電極層，所述第一透明電極層表面上淀積有第一金屬層；

利用第一張掩膜版圖案化所述第一透明電極層和第一金屬層，形成透明電極、掃描線、掃描線輸入端子、遮光電極和薄膜晶體管的柵極，所述柵極和掃描線電連接，所述遮光電極和所述透明電極均與前一行掃描線或后一行掃描線電連接；

在所述透明電極、掃描線、掃描線輸入端子、柵極和遮光電極表面上依次淀積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層，利用第二張掩膜版圖案化所述半導(dǎo)體層，形成薄膜晶體管的硅島；

在所述硅島和柵極絕緣層表面淀積第二金屬層，利用第三張掩膜版圖案化所述第二金屬層，形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線輸入端子、薄膜晶體管的源極和漏極；

在所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和柵極絕緣層表面上淀積鈍化層，利用第四張掩膜版圖案化所述鈍化層，形成過孔；

在所述鈍化層表面上淀積第二透明電極層，利用第五張掩膜版圖案化所述第二透明電極層，形成像素電極，且所述像素電極通過過孔與所述漏極電連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述方法，其特征在于，所述第一張掩膜版為半灰階掩膜版。