[發明專利]制造磁記錄介質用玻璃基板的方法和磁記錄介質用玻璃基板

無效

• 申請號: 201210189550.3
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN102820041A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 志田德仁;中島哲也;田村昌彥
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/62;C03C3/083;C03C3/085;C03C3/087;C03C3/091;C03C15/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;穆德駿

1.制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，所述方法包括：將玻璃板加工成為具有圓盤形狀且在中心部具有圓孔的玻璃基板的成形步驟；將玻璃基板的主表面拋光的拋光步驟；和清洗玻璃基板的清洗步驟，

其中所述玻璃基板是含有楊氏模量為68GPa以上且比模量為27MNm/kg以上的鋁硅酸鹽玻璃的基板；并且

所述拋光步驟包括使用拋光液和拋光墊將玻璃基板的主表面拋光的精拋光步驟，所述拋光液含有初級粒子的平均粒徑為1至80nm的二氧化硅粒子且pH為3.5至5.5，并且導電率為7mS/cm以下。

2.根據權利要求1的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中所述拋光液含有溶解的有機酸和溶解的無機堿。

3.根據權利要求2的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中所述有機酸是具有兩個以上羧酸基團的多價羧酸。

4.根據權利要求3的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中所述多價羧酸是選自檸檬酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、富馬酸、馬來酸和鄰苯二甲酸的一種以上。

5.根據權利要求2的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中所述無機堿是氫氧化鈉和/或氫氧化鉀。

6.根據權利要求1至5中任一項的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中所述鋁硅酸鹽玻璃以氧化物計含有：

55至75摩爾%的SiO₂，5至17摩爾%的Al₂O₃，0至15摩爾%的B₂O₃，總量為0至27摩爾%的選自Li₂O、Na₂O和K₂O的一種或兩種以上，以及總量為0至20摩爾%的選自MgO、CaO、SrO和BaO的一種或兩種以上。

7.根據權利要求6的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中：

在所述鋁硅酸鹽玻璃的組成中，以摩爾%計的SiO₂含量與Al₂O₃含量之間的差為62摩爾%以下，并且

SiO₂含量，Al₂O₃含量，B₂O₃含量，選自Li₂O、Na₂O和K₂O的一種或兩種以上的總含量，和選自MgO、CaO、SrO和BaO的一種或兩種以上的總含量的總和為90摩爾%以上。

8.根據權利要求1至5中任一項的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法，其中：

所述鋁硅酸鹽玻璃以氧化物計含有：55至75摩爾%的SiO₂，5至17摩爾%的Al₂O₃，0至8摩爾%的B₂O₃，總量為4至27摩爾%的選自Li₂O、Na₂O和K₂O的一種或兩種以上，以及總量為0至20摩爾%的選自MgO、CaO、SrO和BaO的一種或兩種以上，

以摩爾%計的SiO₂含量與Al₂O₃含量之間的差為62摩爾%以下，并且

SiO₂含量，Al₂O₃含量，B₂O₃含量，選自Li₂O、Na₂O和K₂O的一種或兩種以上的總含量，和選自MgO、CaO、SrO和BaO的一種或兩種以上的總含量的總和為90摩爾%以上。

9.磁記錄介質用玻璃基板，其是通過根據權利要求1至8中任一項的制造磁記錄介質用玻璃基板的方法來制造，

其中，在所述磁記錄介質用玻璃基板的主表面上，在從內周端面起算朝向外周側3.5mm以上且從外周端面起算朝向內周側3.5mm以上的區域中，通過光學式表面觀察儀利用激光測定的表面粗糙度的標準偏差小于0.5nm。