[發(fā)明專利]一種基于SLiM-Cut技術(shù)制備超薄硅片的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210188942.8 | 申請日: | 2012-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN102683179A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李國嶺;周鋒子;李立本;李航;王丹丹;李新忠 | 申請(專利權(quán))人: | 河南科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 洛陽公信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 孫笑飛 |
| 地址: | 471000 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 slim cut 技術(shù) 制備 超薄 硅片 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種硅片的制備方法,具體地說是一種基于SLiM-Cut技術(shù)制備超薄硅片的方法。
背景技術(shù)
硅片是現(xiàn)代微電子技術(shù)和太陽能光電轉(zhuǎn)換技術(shù)的基礎(chǔ),是太陽能光伏電池技術(shù)中最昂貴的部分。近年來,盡管硅原料價格已有明顯下降,降低硅片的制造成本對于提高太陽能對傳統(tǒng)能源的競爭力依然至關(guān)重要。
目前,太陽能硅片切割技術(shù)主要是利用上世紀(jì)80年代瑞士Charles?Hauser博士發(fā)明的線鋸切割方法。現(xiàn)代線鋸的核心是在研磨漿配合下用于完成切割動作的超細(xì)高強(qiáng)度切割線,切割線直徑已經(jīng)從原來的180?mm?降低到了目前普遍使用的100-120?mm,硅片的厚度從原來的330?mm?降低到現(xiàn)在普遍的180?mm。
根據(jù)理論模擬,若硅片的厚度為40?mm,太陽能光伏電池可達(dá)到最佳性能。2007年,比利時Dross等人公布了一項(xiàng)制造太陽能電池用50?mm厚晶體硅片的新方法[F.?Dross?et?al.,?Appl.?Phys.?A?89,?149?(2007)]。其最大的特點(diǎn)在于,不同于以往用線鋸切割硅碇的技術(shù),而是利用硅與金屬間的熱膨脹差異來剝?nèi)」杵虼耍粫a(chǎn)生由切屑等造成的不必要的浪費(fèi)。這種新方法被稱作stress?induced?lift-off?method?(SLiM-Cut)技術(shù)。SLiM-Cut技術(shù)的實(shí)現(xiàn)過程如下:首先,在晶體硅襯底上依次用絲網(wǎng)印刷機(jī)印制銀漿和鋁漿薄膜;然后,將其放到帶式輸送機(jī)上入爐,在900?℃下退火;隨著溫度下降,金屬層與硅層的熱膨脹率差異會使硅層產(chǎn)生變形,出現(xiàn)龜裂并沿著硅層表面擴(kuò)大;此時,如果剝離金屬層,硅層的表面部分也會沿著龜裂一起剝落;然后,通過蝕刻去除金屬層,就可以只留下50?mm的硅片。在Dross等人公布的方法中,使用了較為昂貴的銀漿和鋁漿,并且退火溫度較高,因此該方法的生產(chǎn)成本依然較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于SLiM-Cut技術(shù)制備超薄硅片的方法,該方法生產(chǎn)成本低,并且制備的硅片完整度及表面平整度好。
????本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種基于SLiM-Cut技術(shù)制備超薄硅片的方法,包括以下步驟:
(1)、取大小為5×5?cm2的硅片作為襯底。
(2)、將硅襯底水平放置,在其上表面通過絲網(wǎng)印刷的方法印上一層厚度為20?mm青銅漿層。
(3)、然后將印有青銅漿層的硅襯底放置在200℃的條件下,使青銅漿層干燥,形成青銅層。
(4)、將附有干燥后青銅層的硅襯底放入快速退火爐中,加熱到720?℃之后,保溫10秒,然后停火,風(fēng)冷冷卻。
(5)、將步驟(4)冷卻后的硅襯底取出,設(shè)有青銅層的一面朝上放置,通過絲網(wǎng)印刷的方法在硅襯底上青銅層的表面印制厚度為40?mm的鋅漿層,然后在200℃的條件下,使鋅漿層干燥,形成鋅層。
(6)、將步驟(5)的硅襯底制備有鋅層的一面朝上放入快速退火爐中,加熱到720?℃之后,保溫10秒,然后停火,風(fēng)冷冷卻,在冷卻過程中利用不同材料熱膨脹系數(shù)的差異,通過鋅層的收縮,使硅襯底表面與青銅層相結(jié)合的硅層從硅襯底上剝離。
(7)、將鋅層、青銅層和附著在青銅層上的硅層一同從硅襯底上剝離,然后放入化學(xué)蝕刻液中,將鋅層和青銅層腐蝕溶解,取出剩余的硅層,清洗后晾干,即得到厚度為30-50?mm的超薄硅片。
所述步驟(1)中作為襯底的硅片厚度為250—650?mm。
所述步驟(2)中青銅漿層中的青銅由75%的銅與25%的錫構(gòu)成。
所述步驟(7)中化學(xué)蝕刻液為FeCl3溶液。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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