[發明專利]一種基于SLiM-Cut技術制備超薄硅片的方法有效
| 申請號： | 201210188942.8 | 申請日： | 2012-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN102683179A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 李國嶺;周鋒子;李立本;李航;王丹丹;李新忠 | 申請（專利權）人： | 河南科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孫笑飛 |
| 地址： | 471000 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 slim cut 技術 制備 超薄 硅片 方法 | ||
1.一種基于SLiM-Cut技術制備超薄硅片的方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）、取大小為5×5?cm2的硅片作為襯底；
（2）、將硅襯底水平放置，在其上表面通過絲網印刷的方法印上一層厚度為20?mm青銅漿層；
（3）、然后將印有青銅漿層的硅襯底放置在200℃的條件下，使青銅漿層干燥，形成青銅層；
（4）、將附有干燥后青銅層的硅襯底放入快速退火爐中，加熱到720?℃之后，保溫10秒，然后?；?，風冷冷卻；
（5）、將步驟（4）冷卻后的硅襯底取出，設有青銅層的一面朝上放置，通過絲網印刷的方法在硅襯底上青銅層的表面印制厚度為40?mm的鋅漿層，然后在200℃的條件下，使鋅漿層干燥，形成鋅層；
（6）、將步驟（5）的硅襯底制備有鋅層的一面朝上放入快速退火爐中，加熱到720?℃之后，保溫10秒，然后停火，風冷冷卻，在冷卻過程中利用不同材料熱膨脹系數的差異，通過鋅層的收縮，使硅襯底表面與青銅層相結合的硅層從硅襯底上剝離；
（7）、將鋅層、青銅層和附著在青銅層上的硅層一同從硅襯底上剝離，然后放入化學蝕刻液中，將鋅層和青銅層腐蝕溶解，取出剩余的硅層，清洗后晾干，即得到厚度為30-50?mm的超薄硅片。
2.如權利要求1所述的一種基于SLiM-Cut技術制備超薄硅片的方法，其特征在于：所述步驟（1）中作為襯底的硅片厚度為250—650?mm。
3.如權利要求1所述的一種基于SLiM-Cut技術制備超薄硅片的方法，其特征在于：所述步驟（2）中青銅漿層中的青銅由75%的銅與25%的錫構成。
4.如權利要求1所述的一種基于SLiM-Cut技術制備超薄硅片的方法，其特征在于：所述步驟（7）中化學蝕刻液為FeCl3溶液。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
