[發(fā)明專利]防電磁干擾的過壓保護裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210188091.7 | 申請日: | 2012-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN103474405A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張小平 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇晟芯微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H02H9/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225500 江蘇省泰州市姜堰市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁 干擾 保護裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種過壓保護裝置,尤其涉及一種防電磁干擾的過壓保護裝置。
背景技術(shù)
在通訊領(lǐng)域中,由于電感性和電容性瞬變、靜電放電、雷電等原因形成的意外電壓浪涌會造成整機系統(tǒng)的性能下降,出現(xiàn)誤動作甚至損壞,因此對電壓瞬變和浪涌的防護成為提高整機系統(tǒng)可靠性的一個重要組成部分。?
現(xiàn)有技術(shù)中,采用幾個電壓瞬變和浪涌的保護器件的組合形式,構(gòu)成多極保護器件的方式得到較廣泛的利用,其中,構(gòu)成半導(dǎo)體保護器件最常用的過壓保護裝置是由封裝框架及設(shè)于其上的半導(dǎo)體保護芯片組成,半導(dǎo)體保護芯片與封裝框架的聯(lián)接,是將芯片用導(dǎo)電膠粘接在框架的底座上;此方式存在有由于粘接過程的擠壓,導(dǎo)電膠液被壓出,出現(xiàn)芯片正面,反面短路現(xiàn)象,成品率低,產(chǎn)品質(zhì)量不可靠。此外,此類裝置往往不具有浪涌保護功能和防電磁干擾功能,從而限制了該裝置的使用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單,使用可靠且具有浪涌保護和防電磁干擾功能的新型過壓保護裝置。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種防電磁干擾的過壓保護裝置,包括有半導(dǎo)體封裝框架及設(shè)于其上的過壓保護芯片,所述過壓保護芯片為三個P-N結(jié)組成雙端四層雙向?qū)ΨQ結(jié)構(gòu),每一組自上而下依次分別摻雜為N2、P2、N1、P1四層過壓保護電路,并與一個低電容浪涌保護器和一個電磁干擾抑制電路相串連串連。
作為改進,所述半導(dǎo)體框架的載體上設(shè)有與底座相互電連接的凸點座,在凸點座上連接半導(dǎo)體過壓保護芯片,保護芯片的正面用引線與半導(dǎo)體框架上的引腳相連。?
作為進一步改進,所述設(shè)于半導(dǎo)體框架載體上的凸點座與載體直接相連或是相互粘接或焊接而成。?
采用上述技術(shù)方案,使得本發(fā)明具有如下優(yōu)點:由于過壓保護芯片與一個低電容浪涌保護器相串連,可以起來良好的浪涌保護作用。同時該芯片設(shè)于導(dǎo)電凸點座上,不是傳統(tǒng)的壓在整個框架載體上,在用導(dǎo)電膠粘接過程中,不易出現(xiàn)導(dǎo)電膠使芯片正反面短路現(xiàn)象,使得工藝簡單,同時芯片的承受電流功率能力增大,由此可靠性提高,生產(chǎn)成本也低。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明:
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
????如圖1所示,一種防電磁干擾的過壓保護裝置,包括有封裝框架1及設(shè)于其上的半導(dǎo)體過壓保護芯片2,所述過壓保護芯片為三個P-N結(jié)組成雙端四層雙向?qū)ΨQ結(jié)構(gòu),每一組自上而下依次分別摻雜為N2、P2、N1、P1四層過壓保護電路,并與一個低電容浪涌保護器和一個電磁干擾抑制電路相串連。在封裝框架1的底座10上設(shè)有相互電連接的凸點3,凸點3上電聯(lián)接有半導(dǎo)體過壓保護芯片2。保護芯片2的正面及框架1的底座10上分別設(shè)有引腳20及11。在實際生產(chǎn)過程中,所述設(shè)于封裝框架載體上的凸點3是在底座10上沖壓而成。根據(jù)生產(chǎn)工藝,所述設(shè)于封裝框架載體上的凸點3也可以是與載體相互粘
接或焊接而成。半導(dǎo)體過壓保護裝置中設(shè)于封裝框架載體上的凸點座3與半導(dǎo)體過壓保護芯片2之間的連接通過焊接或粘接而成。
本結(jié)構(gòu)的過壓保護芯片2與凸點座3的連接為固定連接,可以有多種方式,較好的方式為焊接。為了增加過壓保護芯片2與凸點座3導(dǎo)電性,過壓保護芯片2與凸點座3的焊接可以采用導(dǎo)電性好的金屬焊接,如銀、銅等。凸點座3的形狀可以有多種形狀,如為半球形、柱形等。
需要指出的是,上述實施例雖對本發(fā)明作了比較詳細的文字描述,但這些文字描述只是對本發(fā)明設(shè)計思路的簡單描述,而不是對本發(fā)明思路的限制。任何不超過本發(fā)明設(shè)計思路的組合、增加或修改,均落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
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