[發明專利]測試裝置

無效

• 申請號: 201210187285.5
• 申請日: 2012-06-08
• 公開（公告）號: CN103472321A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 周海清
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種測試裝置，特別涉及一種測試DirectEFT封裝的MOS管是否虛焊和假焊的測試裝置。

背景技術

DirectEFT封裝的MOS管因具有阻抗小，散熱快等優點而被廣泛應用。但由于DirectEFT封裝的MOS管的柵極、漏極及源極的引腳小且均位于MOS管的底面，故，當DirectEFT封裝的MOS管焊接到電路板上時，易出現虛焊和假焊。目前，業界采用X射線設備來檢測焊接到電路板上的DirectEFT封裝的MOS管是否出現虛焊和假焊。然而，X射線設備價格昂貴，從而使得測試成本較高。

發明內容

鑒于上述內容，有必要提供一種成本低且能準確地檢測出DirectEFT封裝的MOS管是否出現虛焊和假焊的測試裝置。

一種測試裝置，用于測試一焊接到電路板上的MOS管是否存在虛焊和假焊，所述測試裝置包括一發光二極管、第一及第二開關、第一及第二電阻及第一至第三接觸元件，所述發光二極管的陽極與一電源相連，所述發光二極管的陰極通過所述第一電阻與所述第一接觸元件相連，所述第一開關的一端通過所述第二電阻與所述電源相連，所述第一開關的另一端與所述第二接觸元件相連，所述第二開關的一端與所述第一開關的另一端相連，所述第二開關的另一端接地，并與所述第三接觸元件相連，測試時，所述第一接觸元件接觸所述MOS管的漏極與所述電路板上一第一電子元件之間的節點，所述第二接觸元件接觸所述MOS管的柵極與所述電路板上一第二電子元件之間的節點，所述第三接觸元件接觸所述MOS管的源極與所述電路板上一第三電子元件之間的節點，當所述MOS管為NMOS管時，閉合所述第一開關，當所述MOS管為PMOS管時，閉合所述第二開關，若所述發光二極管不發光，則表明所述MOS管存在虛焊和假焊；若所述發光二極管發光，則表明所述MOS管不存在虛焊和假焊。

本發明測試裝置通過所述第一至第三接觸元件來接觸所述MOS管的柵極、漏極及源極，并通過觀察所述發光二極管是否發光來判斷所述MOS管柵極、漏極及源極是否存在虛焊和假焊，以使測試結果準確且測試成本低。

附圖說明

下面參照附圖結合較佳實施方式對本發明作進一步詳細描述：

圖1為本發明測試裝置較佳實施方式的電路圖。

圖2為本發明測試裝置對NMOS管進行測試的電路圖。

圖3為本發明測試裝置對PMOS管進行測試的電路圖。

主要元件符號說明

測試裝置10電路板11、20接觸元件12-1412-14線纜15電子元件22、26、28發光二極管D開關K1、K2電阻R1、R2NMOS管Q1PMOS管Q2

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式