[發明專利]一種鋁金屬線的制作方法有效
| 申請號: | 201210186603.6 | 申請日: | 2012-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN103474390A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 趙強 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬線 制作方法 | ||
1.一種鋁金屬線的制作方法,包括粘合層沉積工藝、鋁金屬層沉積工藝、抗反射膜沉積工藝、鋁金屬線刻蝕工藝以及電介質層沉積工藝,其特征在于:所述粘合層沉積工藝包括以離子化金屬工藝在襯底上沉積鈦層,并在沉積過程中,對沉積表面施加一方向控制電場,使鈦層晶粒的沉積方向一致。
2.如權利要求1所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述離子化金屬工藝的參數包括:壓力10毫托-30毫托,直流電功率5500瓦至6500瓦,氬氣離子氣體流量30sccm-40sccm,溫度30度-100度。
3.如權利要求1所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述方向控制電場的電場方向為豎直方向,使所述鈦層晶粒呈豎條狀排列。
4.如權利要求1所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述粘合層沉積工藝進一步包括在該鈦層上制備氮化鈦的工藝,在離子化金屬工藝沉積鈦層之后,利用物理氣相沉積工藝或化學氣相沉積工藝在該鈦層上制作所述氮化鈦層。
5.如權利要求1所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述鋁金屬層沉積工藝采用物理氣相沉積工藝制作。
6.如權利要求1所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述抗反射層沉積工藝采用物理氣相沉積工藝制作。
7.如權利要求1所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述電介質沉積工藝采用分階段的等離子體增強方法,在上述的鋁金屬線上沉積一層二氧化硅層。
8.如權利要求7所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述分階段的等離子體增強方法包括:以第一等離子體變頻功率進行電介質層沉積的填充階段,以相對第一等離子變頻功率較高的第二等離子變頻功率進行電介質層沉積的覆蓋階段,所述第一等離子體變頻功率滿足電介質層在沉積時,對鋁金屬線側壁上的橫向應力不足以破壞該鋁金屬線上的晶粒排布。
9.如權利要求8所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述第一等離子體變頻功率為450瓦-500瓦。
10.如權利要求8所述的鋁金屬線制作方法,其特征在于:所述第二等離子體變頻功率為600瓦-700瓦。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





