[發(fā)明專利]跟蹤電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210185335.6
• 申請(qǐng)日: 2012-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN103138738A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹豪杰;余宗欣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0175
• 分類號(hào): H03K19/0175
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種電路，包括：

開關(guān)電路，具有第一端、第二端、以及第三端；

節(jié)點(diǎn)，具有節(jié)點(diǎn)電壓；以及

跟蹤電路，與所述第三端和所述節(jié)點(diǎn)相連接，并且被配置成接收所述節(jié)點(diǎn)電壓并且基于所述節(jié)點(diǎn)電壓在所述第三端處產(chǎn)生控制電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包括：電流反射鏡，被配置成產(chǎn)生流經(jīng)所述第一端和所述第二端的電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，

所述跟蹤電路被配置成：當(dāng)所述節(jié)點(diǎn)電壓處在第一電壓值上時(shí)產(chǎn)生所述控制電壓的第一控制電壓值；以及

所述跟蹤電路被配置成：當(dāng)所述節(jié)點(diǎn)電壓處在不同于所述第一電壓值的第二電壓值上時(shí)產(chǎn)生所述控制電壓的第二控制電壓值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中，

所述第一控制電壓值高于所述第一電壓值；以及

所述第二控制電壓值約為所述第二電壓值。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其中，

所述第二端處在第三電壓值上；

所述第一電壓值小于所述第三電壓值；

所述第二電壓值大于所述第三電壓值；

所述第一控制電壓值在所述第一電壓值和所述第三電壓值之間；以及

所述第二控制電壓值約為所述第二電壓值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，所述跟蹤電路包括：

第一鎖存電路，被配置成接收所述節(jié)點(diǎn)電壓和具有第二電壓值的第二電壓，并且在所述第三端處產(chǎn)生具有輸出電壓值的輸出電壓，所述節(jié)點(diǎn)電壓具有第一參考電壓值和第二參考電壓值；以及

第二鎖存電路，與公共節(jié)點(diǎn)上的所述第一鎖存電路相連接，并且被配置成接收所述節(jié)點(diǎn)電壓以及具有第一電壓值的第一電壓，

其中，

所述第一鎖存電路被配置成具有處在所述第三電壓的所述第一電壓值上的輸出電壓或具有處在所述節(jié)點(diǎn)電壓的所述第二參考電壓值上的輸出電壓；以及

所述第一電壓值小于所述第二電壓值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，

所述開關(guān)電路包括PMOS晶體管，所述第一端是所述PMOS晶體管的漏極，所述第二端是所述PMOS晶體管的源極，以及所述第三端是所述PMOS晶體管的柵極。

8.一種方法，包括：

使用具有第一端、第二端、以及第三端的開關(guān)電路；

當(dāng)所述第二端處在所述第二端的第一電壓值上時(shí)，使所述第一端具有所述第一端的第一電壓值；以及

當(dāng)所述第二端處在所述第二端的第二電壓值上時(shí)，使所述第一端具有所述第一端的第二電壓值，

其中，

所述第三端的電壓值大于所述第一端的第一電壓值；

所述第二端的第一電壓值小于所述第一端的第一電壓值；

所述第二端的第二電壓值大于所述第三端的電壓值。