[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板以及顯示器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210185196.7 | 申請日: | 2012-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN103456738A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李冠鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 以及 顯示器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及薄膜晶體管,且特別是涉及具有擴(kuò)散阻障層的薄膜晶體管基板以及顯示器。
背景技術(shù)
隨著顯示科技的日益進(jìn)步,人們借著顯示器的輔助可使生活更加便利,為求顯示器輕、薄的特性,促使平面顯示器(flat?panel?display,F(xiàn)PD)成為目前的主流。在諸多平面顯示器中,液晶顯示器(liquid?crystal?display,LCD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性,因此,液晶顯示器深受消費(fèi)者歡迎。
液晶顯示器主要是由有源陣列基板、彩色濾光基板與位于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。有源陣列基板具有有源區(qū)以及周邊電路區(qū)。有源陣列位于有源區(qū)內(nèi),而具有多個薄膜晶體管的驅(qū)動電路則位于周邊電路區(qū)內(nèi)。目前,薄膜晶體管使用柵(閘)絕緣層分隔于柵極與有源層之間,以使柵極與有源層彼此絕緣,然而,柵極的材質(zhì)容易擴(kuò)散進(jìn)入柵絕緣層,以至于影響柵絕緣層的絕緣特性。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管基板,包括:一基板;多個薄膜晶體管,設(shè)置于基板上,其中,每一薄膜晶體管包含:一柵極,配置于基板上;一第一擴(kuò)散阻障層,配置于基板上并覆蓋柵極;一柵絕緣層,配置于第一擴(kuò)散阻障層上;一有源層,配置于柵絕緣層上,并位于柵極上方;一源極,配置于基板上并電連接有源層;一漏極,配置于基板上并電連接有源層;以及一保護(hù)層,覆蓋源極與漏極。
本發(fā)明一實(shí)施例提供一種顯示器包括:一在一實(shí)施例中,薄膜晶體管基板;一基板,與薄膜晶體管基板相對設(shè)置;以及一顯示介質(zhì),形成于薄膜晶體管基板與基板之間。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖2與圖3為本發(fā)明多個實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖視圖;。
圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖5與圖6為本發(fā)明多個實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖視圖;
圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的剖視圖。
主要元件符號說明
100、200、400、500、710~薄膜晶體管基板;
110~基板;
120~柵極;
122~上表面;
124~環(huán)側(cè)壁;
126~邊緣;
130~第一擴(kuò)散阻障層;
140~柵絕緣層;
142~第一膜層;
144~第二膜層;
150~有源層;
160~源極;
170~漏極;
180~絕緣層;
190~第二擴(kuò)散阻障層;
210~第三擴(kuò)散阻障層(蓋層);
212~邊緣;
700~顯示器;
720~基板;
730~顯示介質(zhì);
B1~第一底層;
B2~第二底層;
P~保護(hù)層;
S~薄膜晶體管;
T1、T2、T3、T4、T5~厚度。
具體實(shí)施方式
以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是,本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念,其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式,非用以限制本發(fā)明的范圍。此外,在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明,不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者,當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時,包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。在附圖中,實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大,以簡化或是方便標(biāo)示。再者,圖中未繪示或描述的元件,為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形式。
圖1繪示本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖視圖。請參照圖1,本實(shí)施例的薄膜晶體管基板100包括一基板110、以及多個薄膜晶體管S,薄膜晶體管S設(shè)置于該基板110上。值得注意的是,為簡化起見,圖1僅繪示一個薄膜晶體管S為代表來進(jìn)行說明,并非用以限定本發(fā)明。
每一薄膜晶體管S包含一柵極120、一第一擴(kuò)散阻障層130、一柵絕緣層140、一有源層150、一源極160、一漏極170、以及一保護(hù)層P。此外,薄膜晶體管基板100可選擇性地包括一絕緣層180。
詳細(xì)而言,柵極120配置于基板110上。基板110的材質(zhì)例如為玻璃或是其他適合的透明材料。柵極120的材質(zhì)例如為銅、鋁、鉬、或是其他適合的導(dǎo)電材料。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
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- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





