[發明專利]薄膜晶體管基板以及顯示器

在審

• 申請號: 201210185196.7
• 申請日: 2012-06-05
• 公開（公告）號: CN103456738A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 李冠鋒
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

基板；

多個薄膜晶體管，設置于該基板上，其中，每一薄膜晶體管包含：

柵極，配置于該基板上；

第一擴散阻障層，配置于該基板上并覆蓋該柵極；

柵絕緣層，配置于該第一擴散阻障層上；

有源層，配置于該柵絕緣層上，并位于該柵極上方；

源極，配置于該基板上并電連接該有源層；

漏極，配置于該基板上并電連接該有源層；以及

保護層，覆蓋該源極與該漏極。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該第一擴散阻障層的材質包括氮化物、金屬氧化物、或前述的組合。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中該第一擴散阻障層的氮化物材質包括氮化硅。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中該第一擴散阻障層的金屬氧化物材質由氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、硅鋁氧化物或前述的組合。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該第一擴散阻障層的厚度約為10?！?000埃。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中該第一擴散阻障層的較佳的厚度約為500?！?000埃。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該柵絕緣層包括一覆蓋該第一擴散阻障層的第一膜層與一位于該第一膜層上的第二膜層，該第二膜層的氫含量低于該第一膜層的氫含量，且該第二膜層的氫含量約小于或等于20原子百分比。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括：

絕緣層，配置于該有源層上并覆蓋該柵絕緣層，其中該源極與該漏極配置于該絕緣層上并貫穿該絕緣層而連接至該有源層。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管基板，還包括：

第二擴散阻障層，配置于該源極與該漏極上并覆蓋該絕緣層。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其中該保護層還覆蓋該第二擴散阻障層，且該保護層的材質不同于該第二擴散阻障層的材質。

11.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其中該第二擴散阻障層的厚度約為1000埃～2000埃。

12.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其中該第一擴散阻障層的材質相同于該第二擴散阻障層的材質。

13.如權利要求9所述的薄膜晶體管基板，其中該第二擴散阻障層的材質包括氮化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉿、或硅鋁氧化物。

14.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，該柵極具有上表面以及環側壁，而該柵極的上表面還設有一第三擴散阻障層，且該第三擴散阻障層位于該柵極與該第一擴散阻障層之間。

15.如權利要求14所述的薄膜晶體管基板，其中該第三擴散阻障層的材質包括鉬、鈦、鋁、鉻、或前述材料的合金。

16.如權利要求14所述的薄膜晶體管基板，其中該第三擴散阻障層的邊緣對齊該柵極的環側壁。

17.如權利要求14所述的薄膜晶體管基板，其中該第三擴散阻障層(蓋層)的邊緣小于或等于該柵極的邊緣。

18.一種顯示器，包括：

如權利要求1所述的薄膜晶體管基板；

基板，與該薄膜晶體管基板相對設置；以及

顯示介質，形成于該薄膜晶體管基板與該基板之間。

19.如權利要求18所述的顯示器，其中該顯示介質為一液晶層。

20.如權利要求18所述的顯示器，其中該顯示介質為一有機發光層。