[發明專利]校正光學鄰近校正模型的方法

有效

• 申請號: 201210184916.8
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN103472672A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 黃宜斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及校正光學鄰近校正模型的方法。

背景技術

在半導體制造過程中，光刻工藝是集成電路生產中最重要的工藝步驟之一。隨著半導體制造技術的發展，特征尺寸越來越小，對光刻工藝中分辨率的要求就越來越高。光刻分辨率是指通過光刻機在硅片表面能曝光的最小特征尺寸（critical?dimension，CD），是光刻技術中重要的性能指標之一。

然而，隨著半導體技術的發展，半導體器件的特征尺寸越來越小，當特征尺寸接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波波長時，由于光的衍射和干涉現象，實際硅片上得到的光刻圖形與掩膜版上的圖形之間存在一定的變形和偏差，這種現象稱為光學鄰近效應(OPE，Optical?Proximity?Effect)。為了消除光刻中的光學鄰近效應，一種有效的方法是光學鄰近效應矯正(OPC，Optical?Proximity?Correction)方法，使形成在掩模版上的圖形為經過光學鄰近校正后的圖形，之后將掩模版上的圖形轉移至光刻膠層上時，就不會產生光學鄰近效應。現有技術中，由于掩模版上的圖形具有多樣性，如果在制作掩模版時，對每一種圖形均進行光學鄰近校正，光學鄰近校正的處理時間很長，造成掩模版制造成本增加。

為了縮短進行光學鄰近校正的時間，現有技術中提出了一種基于模型的光學鄰近校正。光學鄰近校正模型的建立方法通常為：首先采用測試掩模版進行曝光，通過測量實際曝光后在硅片上所獲得的曝光圖形的尺寸，獲得測試數據；然后根據所述采用的測試掩模版上的測試圖形模擬光刻過程，通過測量模擬結果的尺寸，獲得模擬數據；接著，對比所述測試數據和模擬數據，建立光學鄰近校正模型，使得將該光學鄰近校正模型應用于所述模擬數據時，能夠獲得與實際的測試數據相同的結果。以上所述建模過程有一個成熟的公式。

現有技術中，由于目標圖形的多樣性，為了使基于模型的光學鄰近校正可以最優化，需要對每一種目標圖形的光學鄰近校正模型進行優化，使光學鄰近校正模型達到最優化，從而保證對目標圖形的光學鄰近校正可以最優化。圖1為現有技術中校正光學鄰近校正模型的流程示意圖，參考圖1，現有技術中，校正光學鄰近校正模型的方法通常為：步驟S1，數據采樣，具體為：提供具有圖形的半導體襯底，對圖形進行數據采樣，獲得實際數據；步驟S2，設定優化校正模型的參數；步驟S3，利用設定的參數對待校正的光學鄰近校正模型進行校正，獲得校正的光學鄰近校正模型；步驟S4，計算擬合誤差（fitting?error），具體為：利用校正的光學鄰近校正模型模擬獲得模擬圖形，對模擬圖形進行數據采樣，獲得模擬數據；計算模擬數據和實際數據的擬合誤差；步驟S5，判斷擬合誤差是否小于設定值，如果判斷結果為是，執行步驟S6，進行檢驗，檢驗模擬數據與實際數據的誤差是否在設定的范圍內，如果步驟S6的檢驗結果失敗，返回步驟S2；如果步驟S6的檢驗結果通過，結束光學鄰近校正模型的校正過程。

然而，現有技術中對光學鄰近校正模型進行校正耗時相對來說仍然較長，例如對32nm的接觸孔的光學鄰近校正模型進行校正需要花費超過兩周的時間，并且大部分的時間在等待校正的結果。

更多基于模型的光學鄰近校正模型的內容，可以參考2011年1月5日公布的公布號為CN101937171A的中國專利文獻。

發明內容

本發明解決的問題是現有技術中對光學鄰近校正模型進行校正耗時長。

為解決上述問題，本發明提供一種校正光學鄰近校正模型的方法，包括：

提供具有圖形的半導體襯底；

對所述圖形進行數據采樣，獲得采樣數據；

將所述采樣數據分成第一組數據和第二組數據，且所述第一組數據包括所述圖形中基準點的采樣數據，所述基準點為決定曝光能量大小的圖形；

提供待校正的光學鄰近校正模型；

利用所述第一組數據校正所述待校正的光學鄰近校正模型，獲得校正的光學鄰近校正模型；

利用所述校正的光學鄰近校正模型獲得模擬圖形，對所述模擬圖形進行數據采樣獲得模擬數據，與所述第一組數據對應的模擬數據與所述第一組數據之間的誤差小于預定值；

判斷所述第二組數據對應的模擬數據與所述第二組數據之間的誤差是否小于所述預定值；

如果判斷結果為是，將所述校正的光學鄰近校正模型作為校正好的光學鄰近校正模型；

如果判斷結果為否，重新校正所述待校正的光學鄰近校正模型。

可選的，所述重新校正所述待校正的光學鄰近校正模型包括：