[發(fā)明專利]校正光學(xué)鄰近校正模型的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210184916.8 | 申請日： | 2012-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN103472672A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃宜斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 校正 光學(xué) 鄰近 模型 方法 | ||
1.一種校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，包括：
提供具有圖形的半導(dǎo)體襯底；
對所述圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，獲得采樣數(shù)據(jù)；
將所述采樣數(shù)據(jù)分成第一組數(shù)據(jù)和第二組數(shù)據(jù)，且所述第一組數(shù)據(jù)包括所述圖形中基準(zhǔn)點(diǎn)的采樣數(shù)據(jù)，所述基準(zhǔn)點(diǎn)為決定曝光能量大小的圖形；
提供待校正的光學(xué)鄰近校正模型；
利用所述第一組數(shù)據(jù)校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型，獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型；
利用所述校正的光學(xué)鄰近校正模型獲得模擬圖形，對所述模擬圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣獲得模擬數(shù)據(jù)，與所述第一組數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與所述第一組數(shù)據(jù)之間的誤差小于預(yù)定值；
判斷所述第二組數(shù)據(jù)對應(yīng)的模擬數(shù)據(jù)與所述第二組數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于所述預(yù)定值；
如果判斷結(jié)果為是，將所述校正的光學(xué)鄰近校正模型作為校正好的光學(xué)鄰近校正模型；
如果判斷結(jié)果為否，重新校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型。
2.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述重新校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型包括：
重復(fù)所述獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型、獲得模擬圖形、對模擬圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣以及判斷步驟，直至判斷結(jié)果為是。
3.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述提供具有圖形的半導(dǎo)體襯底包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
提供測試掩模版；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；
利用所述測試掩模版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光；
對曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影，將所述光刻膠層圖形化；
以圖形化后的光刻膠層為掩模，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖形，之后去除圖形化后的光刻膠層。
4.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，對所述圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣的方法包括：
利用掃描電鏡對所述圖形進(jìn)行測量。
5.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，根據(jù)概率統(tǒng)計確定所述第一組數(shù)據(jù)和第二組數(shù)據(jù)的數(shù)量。
6.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，隨機(jī)將所述采樣數(shù)據(jù)分成第一組數(shù)據(jù)和第二組數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述利用第一組數(shù)據(jù)校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型，獲得校正的光學(xué)鄰近校正模型的步驟包括：
設(shè)定校正策略；
基于所述校正策略，校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型，獲得中間校正模型；
基于所述中間校正模型模擬光刻過程，獲得中間模擬圖形；
對所述中間模擬圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣獲得中間模擬數(shù)據(jù)，判斷所述第一組數(shù)據(jù)對應(yīng)的中間模擬數(shù)據(jù)與所述第一組數(shù)據(jù)之間的誤差是否小于預(yù)定值；
如果判斷結(jié)果為是，將所述中間校正模型作為校正的光學(xué)鄰近校正模型；
如果判斷結(jié)果為否，重新利用所述第一組數(shù)據(jù)校正所述待校正的光學(xué)鄰近校正模型。
8.如權(quán)利要求7所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，重新利用所述第一組數(shù)據(jù)校正所述待校正模型的步驟包括：
重新設(shè)定校正策略，之后，重復(fù)所述獲得中間校正模型、獲得中間模擬圖形、獲得中間模擬數(shù)據(jù)以及判斷的步驟，直至判斷結(jié)果為是。
9.如權(quán)利要求7所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述校正策略包括：校正光學(xué)鄰近校正模型所采用的公式、公式中系數(shù)的參數(shù)、以及軟件進(jìn)行計算時所采用的范圍和步長。
10.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，利用所述校正的光學(xué)鄰近校正模型獲得模擬圖形的步驟包括：
提供具有圖形的掩模版；
利用所述校正的光學(xué)鄰近校正模型對掩模版上的圖形進(jìn)行
模擬獲得模擬圖形。
11.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，利用掃描電鏡對所述模擬圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣獲得模擬數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求1所述的校正光學(xué)鄰近校正模型的方法，其特征在于，對所述圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣的步驟包括：
找出所述圖形中的基準(zhǔn)點(diǎn)，對所述基準(zhǔn)點(diǎn)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣；
對除基準(zhǔn)點(diǎn)之外的圖形進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
