[發明專利]校正光學鄰近校正模型的方法

有效

• 申請號: 201210184916.8
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN103472672A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 黃宜斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，包括：

提供具有圖形的半導體襯底；

對所述圖形進行數據采樣，獲得采樣數據；

將所述采樣數據分成第一組數據和第二組數據，且所述第一組數據包括所述圖形中基準點的采樣數據，所述基準點為決定曝光能量大小的圖形；

提供待校正的光學鄰近校正模型；

利用所述第一組數據校正所述待校正的光學鄰近校正模型，獲得校正的光學鄰近校正模型；

利用所述校正的光學鄰近校正模型獲得模擬圖形，對所述模擬圖形進行數據采樣獲得模擬數據，與所述第一組數據對應的模擬數據與所述第一組數據之間的誤差小于預定值；

判斷所述第二組數據對應的模擬數據與所述第二組數據之間的誤差是否小于所述預定值；

如果判斷結果為是，將所述校正的光學鄰近校正模型作為校正好的光學鄰近校正模型；

如果判斷結果為否，重新校正所述待校正的光學鄰近校正模型。

2.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述重新校正所述待校正的光學鄰近校正模型包括：

重復所述獲得校正的光學鄰近校正模型、獲得模擬圖形、對模擬圖形進行數據采樣以及判斷步驟，直至判斷結果為是。

3.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述提供具有圖形的半導體襯底包括：

提供半導體襯底；

提供測試掩模版；

在所述半導體襯底上形成光刻膠層；

利用所述測試掩模版對所述光刻膠層進行曝光；

對曝光后的光刻膠層進行顯影，將所述光刻膠層圖形化；

以圖形化后的光刻膠層為掩模，刻蝕所述半導體襯底，在所述半導體襯底上形成圖形，之后去除圖形化后的光刻膠層。

4.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，對所述圖形進行數據采樣的方法包括：

利用掃描電鏡對所述圖形進行測量。

5.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，根據概率統計確定所述第一組數據和第二組數據的數量。

6.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，隨機將所述采樣數據分成第一組數據和第二組數據。

7.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述利用第一組數據校正所述待校正的光學鄰近校正模型，獲得校正的光學鄰近校正模型的步驟包括：

設定校正策略；

基于所述校正策略，校正所述待校正的光學鄰近校正模型，獲得中間校正模型；

基于所述中間校正模型模擬光刻過程，獲得中間模擬圖形；

對所述中間模擬圖形進行數據采樣獲得中間模擬數據，判斷所述第一組數據對應的中間模擬數據與所述第一組數據之間的誤差是否小于預定值；

如果判斷結果為是，將所述中間校正模型作為校正的光學鄰近校正模型；

如果判斷結果為否，重新利用所述第一組數據校正所述待校正的光學鄰近校正模型。

8.如權利要求7所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，重新利用所述第一組數據校正所述待校正模型的步驟包括：

重新設定校正策略，之后，重復所述獲得中間校正模型、獲得中間模擬圖形、獲得中間模擬數據以及判斷的步驟，直至判斷結果為是。

9.如權利要求7所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，所述校正策略包括：校正光學鄰近校正模型所采用的公式、公式中系數的參數、以及軟件進行計算時所采用的范圍和步長。

10.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，利用所述校正的光學鄰近校正模型獲得模擬圖形的步驟包括：

提供具有圖形的掩模版；

利用所述校正的光學鄰近校正模型對掩模版上的圖形進行

模擬獲得模擬圖形。

11.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，利用掃描電鏡對所述模擬圖形進行數據采樣獲得模擬數據。

12.如權利要求1所述的校正光學鄰近校正模型的方法，其特征在于，對所述圖形進行數據采樣的步驟包括：

找出所述圖形中的基準點，對所述基準點進行數據采樣；

對除基準點之外的圖形進行數據采樣。