[發(fā)明專(zhuān)利]一種制備反射膜的方法、太陽(yáng)能電池板及其晶體硅片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210184818.4
• 申請(qǐng)日: 2012-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103474504A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐世貴;王立建
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江昱輝陽(yáng)光能源江蘇有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/052
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種制備反射膜的方法，本發(fā)明還涉及一種其背表面設(shè)置有利用上述方法制備的反射膜的晶體硅片，和具有上述晶體硅片的太陽(yáng)能電池板。

背景技術(shù)

隨著對(duì)太陽(yáng)能電池研究的不斷深入，晶體硅太陽(yáng)能電池發(fā)展的重點(diǎn)是高效率及低成本。

常規(guī)太陽(yáng)能電池板的晶體硅片采用背面印刷全鋁背場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其具體生產(chǎn)工藝是：晶體硅片在經(jīng)制絨、擴(kuò)散、去PSG（Phospho?Silicate?Glass，含有較高磷濃度的硅氧化層，被稱(chēng)為磷硅玻璃）和正面形成減反射膜（晶體硅片受光面所涂的一層減少陽(yáng)光反射的膜）后，在其背表面設(shè)置一層鋁層，以提高開(kāi)路電壓及短路電流，即全鋁背場(chǎng)。盡管采用此種工藝設(shè)置的結(jié)構(gòu)有很多優(yōu)點(diǎn)，但由于燒結(jié)形成的鋁硅合金背表面在減少?gòu)?fù)合（復(fù)合：晶體硅片背面的少數(shù)載流子減少的一種方式）和背反射效果方面具有一定的局限，特別是鋁硅合金區(qū)本身即高復(fù)合區(qū)的局限更加明顯，而且鋁背場(chǎng)對(duì)太陽(yáng)光的反射率偏低，長(zhǎng)波響應(yīng)較差，限制了太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高。

在當(dāng)前的技術(shù)水平下，短時(shí)間內(nèi)大幅提高晶體硅片光電轉(zhuǎn)換效率的發(fā)展空間不是很大，所以就需要在降低生產(chǎn)成本方面做出改進(jìn)。為了降低原料成本，人們開(kāi)始采用更薄的晶體硅片，而對(duì)于薄片化的晶體硅片來(lái)說(shuō)，在其背表面僅僅設(shè)置全鋁背場(chǎng)，不但限制了光電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高，還會(huì)因?yàn)榫w硅片本身較薄，使得太陽(yáng)光容易從晶體硅片的背面透射過(guò)去，降低了晶體硅片吸收太陽(yáng)光的效率。

綜上所述，如何提供一種制備反射膜的方法，以實(shí)現(xiàn)降低晶體硅片背表面太陽(yáng)光的透射率，進(jìn)一步提高晶體硅片的光電轉(zhuǎn)換效率，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種制備反射膜的方法，以降低晶體硅片背表面太陽(yáng)光的透射率，進(jìn)一步提高晶體硅片的光電轉(zhuǎn)換效率，

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種制備反射膜的方法，用于在晶體硅片的背表面制備反射膜，包括以下步驟：

11）將經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散、去硅氧化層和正表面形成減反射膜處理的晶體硅片放置到反應(yīng)裝置中；

12）向反應(yīng)裝置中充入保護(hù)氣體，將所述反應(yīng)裝置中的溫度設(shè)置為200℃-600℃，壓強(qiáng)設(shè)置為反應(yīng)壓強(qiáng)并向所述反應(yīng)裝置中發(fā)射微波；

13）向所述反應(yīng)裝置中充入SiH₄和N₂O，保持其體積比例在1:1-1:3的范圍內(nèi)；

14）持續(xù)反應(yīng)20min-100min，得到第一層SiO₂薄膜；

15）待SiH₄和N₂O達(dá)到步驟14）中所述反應(yīng)時(shí)間后，停止充入SiH₄和N₂O，并向所述反應(yīng)裝置內(nèi)充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，保持其體積比例在1:1-1:2的范圍內(nèi)，并將溫度調(diào)整至400℃-800℃；持續(xù)反應(yīng)10min-60min，得到第二層TiO₂薄膜；

16）待Ti(OC₃H₇)₄和O₂達(dá)到步驟15）中所述反應(yīng)時(shí)間后，停止充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，將溫度調(diào)整至200℃-600℃，并重復(fù)步驟13）；持續(xù)反應(yīng)10min-60min，得到第三層SiO₂薄膜。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，還包括以下步驟：

21）在所述第三層SiO₂薄膜上刻蝕接觸窗；

22）在所述接觸窗上設(shè)置一層鋁膜。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，所述接觸窗通過(guò)激光刻蝕的方式設(shè)置在所述第三層SiO₂薄膜的表面。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，所述鋁膜通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置在所述接觸窗上。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，所述反應(yīng)裝置為石英爐管。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，所述保護(hù)氣體為N₂。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，所述反應(yīng)壓強(qiáng)的范圍為0.02mbar-0.2mbar。

優(yōu)選的，上述制備反射膜的方法中，所述微波的功率為2500-3500W。