[發明專利]一種制備反射膜的方法、太陽能電池板及其晶體硅片

有效

• 申請號: 201210184818.4
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN103474504A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 徐世貴;王立建
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/052
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

1.一種制備反射膜的方法，用于在晶體硅片（5）的背表面制備反射膜，其特征在于，包括以下步驟：

11）將經過制絨、擴散、去硅氧化層和正表面形成減反射膜處理的晶體硅片（5）放置到反應裝置中；

12）向反應裝置中充入保護氣體，將所述反應裝置中的溫度設置為200℃-600℃，壓強設置為反應壓強并向所述反應裝置中發射微波；

13）向所述反應裝置中充入SiH₄和N₂O，保持兩者體積比例在1∶1-1∶3的范圍內；

14）持續反應20min-100min，得到第一層SiO₂薄膜（1）；

15）待SiH₄和N₂O達到步驟14）中反應時間后，停止充入SiH₄和N₂O，并向所述反應裝置內充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，保持其體積比例在1∶1-1∶2的范圍內，并將溫度調整至400℃-800℃；持續反應10min-60min，得到第二層TiO₂薄膜（2）；

16）待Ti(OC₃H₇)₄和O₂達到步驟15）中所述反應時間后，停止充入Ti(OC₃H₇)₄和O₂，將溫度調整至200℃-600℃，并重復步驟13）；持續反應10min-60min，得到第三層SiO₂薄膜（3）。

2.根據權利要求1所述的制備反射膜的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

21）在所述第三層SiO₂薄膜（3）上刻蝕接觸窗；

22）在所述接觸窗上設置一層鋁膜。

3.根據權利要求2所述的制備反射膜的方法，其特征在于，所述接觸窗通過激光刻蝕的方式設置在所述第三層SiO₂薄膜（3）的表面。

4.根據權利要求3所述的制備反射膜的方法，其特征在于，所述鋁膜通過絲網印刷的方式設置在所述接觸窗上。

5.根據權利要求1所述的制備反射膜的方法，其特征在于，所述反應裝置為石英爐管。

6.根據權利要求5所述的制備反射膜的方法，其特征在于，所述保護氣體為N₂。

7.根據權利要求6所述的制備反射膜的方法，其特征在于，所述反應壓強的范圍為0.02mbar-0.2mbar。

8.根據權利要求7所述的制備反射膜的方法，其特征在于，所述微波的功率為2500-3500W。

9.一種晶體硅片，其特征在于，所述晶體硅片的背表面設置有反射膜，所述反射膜包括通過上述權利要求1-8中任意一項所述的制備反射膜的方法制備的第一層SiO2薄膜（1）、第二層TiO2薄膜（2）和第三層SiO2薄膜（3）。

10.一種太陽能電池板，其特征在于，其具有權利要求9中所述的晶體硅片。