[發明專利]檢測退火設備反應腔內漏氧的方法

有效

• 申請號: 201210184756.7
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN103474368A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 蘇小鵬;平梁良
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01M3/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，包括：

提供晶圓襯底；

在晶圓襯底上沉積氧化層和多晶硅層；

對晶圓襯底進行離子注入；

在退火設備反應腔內對晶圓襯底進行退火處理；

測量退火后的晶圓襯底的阻值，定義為第一阻值；

在同等條件下，定義所述晶圓襯底在無漏氧的退火設備反應腔內的阻值為第二阻值；

將第二阻值與第一阻值進行比較，若第二阻值大于第一阻值，則判斷退火設備反應腔內漏氧。

2.根據權利要求1所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，還包括：根據電阻與氧氣含量的關系，確定所述第一阻值所對應的氧氣含量，進而獲得退火設備反應腔的漏氧量。

3.根據權利要求1所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，還包括：測量退火后的晶圓襯底的阻值分布，根據所述阻值分布以及電阻與氧氣含量的關系，確定退火設備反應腔內氧氣含量的分布。

4.根據權利要求1所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，還包括：測量退火后的晶圓襯底的阻值分布，根據所述阻值分布確定所述晶圓襯底上的最低阻值位置，所述最低阻值位置所對應的退火設備反應腔的位置即為漏氧位置。

5.根據權利要求1所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，所述晶圓襯底為裸晶或注入有離子的晶圓。

6.一種檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，包括：

提供晶圓襯底；

在晶圓襯底上沉積氧化層和多晶硅層；

對晶圓襯底進行離子注入；

在退火設備反應腔內對晶圓襯底進行退火處理；

測量退火后的晶圓襯底的阻值分布，定義為第一阻值分布；

在同等條件下，定義所述晶圓襯底在無漏氧的退火設備反應腔內的阻值分布為第二阻值分布；

將第二阻值分布與第一阻值分布進行比較，若第一阻值分布與第二阻值分布相比發生了變化，則判斷退火設備反應腔內漏氧。

7.根據權利要求6所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，還包括：根據所述第一阻值分布以及電阻與氧氣含量的關系，確定退火設備反應腔內氧氣含量的分布。

8.根據權利要求6所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，還包括：根據所述第一阻值分布確定所述晶圓襯底上的最低阻值位置，所述最低阻值位置所對應的退火設備反應腔的位置即為漏氧位置。

9.根據權利要求6所述的檢測退火設備反應腔內漏氧的方法，其特征在于，所述晶圓襯底為裸晶或注入有離子的晶圓。