[發(fā)明專利]等離子蝕刻裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210184024.8
• 申請(qǐng)日: 2012-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN103474320A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種等離子蝕刻裝置，特別涉及一種可增加蝕刻均勻性的等離子蝕刻裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工藝（制程）應(yīng)用上，經(jīng)常針對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行等離子蝕刻的處理。影響等離子蝕刻品質(zhì)的重要因素之一即加工氣體供應(yīng)的參數(shù)，例如：加工氣體的濃度、加工氣體的供給速度或是加工氣體的種類。舉例而言，通過保持加工氣體中的分子于兩電極間保持一定的濃度，該加工氣體的分子對(duì)半導(dǎo)體晶圓表面的任一位置所進(jìn)行等離子蝕刻的效果將可以維持。

然而，在對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行蝕刻時(shí)，半導(dǎo)體晶圓的邊緣的加工氣體的濃度通常不同于半導(dǎo)體晶圓中央加工氣體的濃度，進(jìn)而使得兩個(gè)區(qū)域的等離子蝕刻的效果不均。由于蝕刻效率是影響產(chǎn)品產(chǎn)量率的關(guān)鍵因素之一，因此如何有效維持蝕刻效率的一致性即成為本發(fā)明在此欲解決的一重要課題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種可增加蝕刻均勻性的等離子蝕刻裝置。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種等離子蝕刻裝置，包括一處理室、一氣體注射器、多個(gè)導(dǎo)管以及至少一氣體供應(yīng)系統(tǒng)。氣體注射器設(shè)置于處理室的頂面。導(dǎo)管面對(duì)氣體注射器并設(shè)置于處理室的底面。氣體供應(yīng)系統(tǒng)耦接于每一導(dǎo)管，其中氣體供應(yīng)系統(tǒng)通過導(dǎo)管供應(yīng)加工氣體至處理室。

具體而言，一加工區(qū)域限定于氣體注射器與導(dǎo)管之間，加工區(qū)域同時(shí)接收來自氣體注射器與導(dǎo)管所供應(yīng)的加工氣體，其中氣體注射器所供應(yīng)的加工氣體相同或不同于導(dǎo)管所供應(yīng)的加工氣體。

在一實(shí)施例中，等離子蝕刻裝置包括一第一導(dǎo)管以及一第二導(dǎo)管，其中第一導(dǎo)管與第二導(dǎo)管皆為螺旋狀，且第一導(dǎo)管圍繞第二導(dǎo)管的外側(cè)。另一方面，第一導(dǎo)管以及第二導(dǎo)管分別包括多個(gè)開孔，使得來自氣體供應(yīng)系統(tǒng)的加工氣體經(jīng)由開孔進(jìn)入處理室內(nèi)部。

在上述實(shí)施例中，氣體供應(yīng)系統(tǒng)是個(gè)別且獨(dú)立地對(duì)每一導(dǎo)管供應(yīng)加工氣體，且每一導(dǎo)管供應(yīng)相同的加工氣體至處理室，然而并不限至于此。在另一實(shí)施例中，氣體供應(yīng)系統(tǒng)是個(gè)別且獨(dú)立地對(duì)每一導(dǎo)管供應(yīng)加工氣體，且每一導(dǎo)管供應(yīng)不同的加工氣體至處理室

為了實(shí)施不同的蝕刻反應(yīng)，等離子蝕刻裝置可包括多個(gè)氣體供應(yīng)系統(tǒng)，分別供應(yīng)不同的加工氣體，其中每一導(dǎo)管至少耦接于氣體供應(yīng)系統(tǒng)之一。

本發(fā)明的等離子蝕刻裝置于處理室底面增加設(shè)置多個(gè)導(dǎo)管，并通過導(dǎo)管提供加工氣體，以維持半導(dǎo)體晶圓邊緣的等離子的理想狀態(tài)，達(dá)到一致的蝕刻均勻性。

附圖說明

圖1顯示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的等離子蝕刻裝置的示意圖；

圖2顯示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的承載座的示意圖；

圖3顯示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的部分元件的示意圖；

圖4顯示本發(fā)明的另一實(shí)施例的等離子蝕刻裝置的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

1、1’～等離子蝕刻裝置；

10～處理室；

11～側(cè)壁；

15～頂面；

17～底面；

20～氣體注射器；

21～管道；

30～承載座；

31～第一導(dǎo)管；

310～開孔；

311～進(jìn)氣口；

33～第二導(dǎo)管；

330～開孔；

311～進(jìn)氣口；

35～柱體；

37～本體；

39～承載盤；

40、42、44～氣體供應(yīng)系統(tǒng)；

41、43～氣體通道；

50～控制器；

60～排除通道；

100～加工區(qū)域；

W～半導(dǎo)體晶圓。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)配合附圖來說明優(yōu)選實(shí)施例。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明的較佳實(shí)施例的等離子蝕刻裝置1包括一處理室10、一氣體注射器20、一承載座30、一氣體供應(yīng)系統(tǒng)40、一控制器50以及一排除通道60。

處理室10包括一側(cè)壁11、一頂面15以及一底面17。側(cè)壁11、頂面15以及底面17共同限定出一空間于處理室10內(nèi)部。氣體注射器20設(shè)置于處理室10的頂面15，來自管道21的加工氣體可通過氣體注射器20布滿處理室10當(dāng)中。