[發(fā)明專利]等離子蝕刻裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210184024.8
• 申請日: 2012-06-06
• 公開（公告）號: CN103474320A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強

1.一種等離子蝕刻裝置，包括：

一處理室；

一氣體注射器，設(shè)置于該處理室的頂面；

多個導(dǎo)管，面對該氣體注射器，設(shè)置于該處理室的底面；以及

至少一氣體供應(yīng)系統(tǒng)，耦接于所述導(dǎo)管，其中該氣體供應(yīng)系統(tǒng)通過所述導(dǎo)管供應(yīng)加工氣體至該處理室。

2.如權(quán)利要求1所述等離子蝕刻裝置，其中所述導(dǎo)管包括一第一導(dǎo)管以及一第二導(dǎo)管，該第一導(dǎo)管圍繞該第二導(dǎo)管。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子蝕刻裝置，其中該第一導(dǎo)管為螺旋狀。

4.如權(quán)利要求2所述的等離子蝕刻裝置，其中該第二導(dǎo)管為螺旋狀。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，其中所述導(dǎo)管分別包括多個開孔，來自該氣體供應(yīng)系統(tǒng)的加工氣體經(jīng)由所述開孔進入該處理室的內(nèi)部。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，其中該氣體供應(yīng)系統(tǒng)個別且獨立地對每一所述導(dǎo)管供應(yīng)加工氣體，且每一所述導(dǎo)管供應(yīng)相同的加工氣體至該處理室。

7.如權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，其中該氣體供應(yīng)系統(tǒng)個別且獨立地對每一所述導(dǎo)管供應(yīng)加工氣體，且每一所述導(dǎo)管供應(yīng)不同的加工氣體至該處理室。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，所述至少一氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括多個分別供應(yīng)不同的加工氣體的氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中每一所述導(dǎo)管至少耦接于所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)之一。

9.如權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，其中一加工區(qū)域限定于該氣體注射器與所述導(dǎo)管之間，該加工區(qū)域同時接收來自該氣體注射器與所述導(dǎo)管所供應(yīng)的加工氣體。

10.如權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置，其中該氣體注射器所供應(yīng)的加工氣體不同于所述導(dǎo)管所供應(yīng)的加工氣體。