[發(fā)明專利]互連結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210183504.2
• 申請日: 2012-06-05
• 公開（公告）號: CN103456679A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 張海洋;符雅麗
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種互連結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有嵌套層，所述嵌套層包括位于中心的第一催化劑層、圍繞所述第一催化劑層的第一介質層以及貫穿第一催化劑層的多個銅支撐柱；

在所述嵌套層上形成石墨烯納米帶；

去除所述第一催化劑層，所述石墨烯納米帶、銅支撐住、第一介質層以及半導體襯底形成密閉空腔；

在所述石墨烯納米帶上形成第二介質層，并刻蝕所述第二介質層以及石墨烯納米帶，形成暴露出所述銅支撐柱頂部的通孔；

在所述通孔表面形成第二催化劑層，并在第二催化劑層上生長碳納米管以填滿所述通孔。

2.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述第一催化劑層的材料為Co、Ni、Pt或Ru。

3.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述第一介質層的材料為低K介質。

4.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用激光直寫方法在所述嵌套層上形成石墨烯納米帶。

5.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用濕法腐蝕方式去除所述第一催化劑層。

6.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用旋涂或沉積方式在所述石墨烯納米帶上形成第二介質層。

7.如權利要求1或6所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述第二介質層的材料為低K介質。

8.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述第二催化劑層采用PVD、CVD、PLD或ALD方式沉積形成。

9.如權利要求1或8所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述第二催化劑層的材料為Co、Ni、Pt或Ru。

10.一種互連結構，包括自下而上形成于半導體襯底上的第一介質層、石墨烯納米帶以及第二介質層，其特征在于，所述互連結構還包括密閉空腔以及碳納米管，所述密閉空腔頂部為石墨烯納米帶，側壁為第一介質層，底部為半導體襯底，腔內設有位于半導體襯底上的多個銅支撐柱；所述碳納米管填充于貫穿第二介質層和石墨烯納米帶至所述銅支撐柱頂部的通孔中。

11.如權利要求10所述的互連結構，其特征在于，所述石墨烯納米帶的長度比所述第一介質層和第二介質層短，所述第一介質層與所述第二介質層底部邊緣直接接觸。

12.如權利要求10或11所述的互連結構，其特征在于，所述第一介質層和第二介質層的材料為低K介質。