[發(fā)明專利]一種掩膜版及套刻精度的測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210183489.1
• 申請日: 2012-06-05
• 公開（公告）號: CN103454852A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 舒強;黃宜斌
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：圖案區(qū)及外圍區(qū)；

所述外圍區(qū)具有用于對準(zhǔn)的多個第一標(biāo)記A及多個第二標(biāo)記B，其中，第一標(biāo)記A與第二標(biāo)記B具有不同的尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B的數(shù)量各為2個。

3.如權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B沿順時針排列順序為AABB。

4.如權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B的數(shù)量各為4個。

5.如權(quán)利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B沿順時針排列順序為ABABABAB。

6.如權(quán)利要求1至5中的任一項所述的掩膜版，其特征在于，所述第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B的形狀均為矩形。

7.一種套刻精度的測量方法，其特征在于，包括：

利用如權(quán)利要求1至6中的任一項所述的掩膜版對晶圓進(jìn)行第一層曝光，形成多個曝光單元，其中，相鄰兩個曝光單元具有如下狀態(tài)：一個曝光單元的第一標(biāo)記A與另一個曝光單元的第二標(biāo)記B嵌套；

測量嵌套的第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B之間的關(guān)系，以獲取第一層的曝光單元間的套刻精度。

8.如權(quán)利要求7所述的套刻精度的測量方法，其特征在于，所述嵌套的第一標(biāo)記A和第二標(biāo)記B之間的關(guān)系包括：橫向偏移差異、縱向偏移差異、橫向縮放差異、縱向縮放差異及旋轉(zhuǎn)差異中的一種或多種。

9.如權(quán)利要求7所述的套刻精度的測量方法，其特征在于，還包括：將所述第一層的曝光單元間的套刻精度上傳至先進(jìn)過程控制系統(tǒng)。

10.如權(quán)利要求9所述的套刻精度的測量方法，其特征在于，將所述第一層的曝光單元間的套刻精度上傳至先進(jìn)過程控制系統(tǒng)后，還包括如下步驟：

對經(jīng)過第一層曝光工藝的晶圓進(jìn)行第二層曝光工藝；

測量第二層曝光工藝與第一層曝光工藝的層間套刻精度。