[發(fā)明專利]阻障堆疊結(jié)構(gòu)及形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210183309.X
• 申請(qǐng)日: 2012-06-05
• 公開（公告）號(hào): CN103456678A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯孟綜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一基板；

以一第一氣相沉積工藝形成一導(dǎo)體層于該基板上；

以一第二氣相沉積工藝形成一第一非晶質(zhì)薄膜于該導(dǎo)體層上；

對(duì)該第一非晶質(zhì)薄膜進(jìn)行一改質(zhì)工藝，以將該第一非晶質(zhì)薄膜改質(zhì)為一第一阻障層，該第一阻障層包括一第二非晶質(zhì)薄膜及一晶體化薄膜，其中該晶體化薄膜位于該第二非晶質(zhì)薄膜的上表面；以及

以一化學(xué)氣相沉積工藝形成一第二阻障層于該第一阻障層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中所述的導(dǎo)體層包括一鈦層，該第一阻障層包括一第一氮化鈦層，該第二阻障層包括一第二氮化鈦層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中所述的晶體化薄膜的厚度大于該第二非晶質(zhì)薄膜的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中所述的改質(zhì)工藝為等離子體處理法。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中所述的等離子體處理法使用的反應(yīng)氣體為氫氣與氮?dú)獾幕旌蜌怏w或氫氣與氟氣的混和氣體。

6.一種阻障堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括：

一導(dǎo)體層，形成于一基板上；

一第一阻障層，形成于該導(dǎo)體層上，該第一阻障層包括一非晶質(zhì)薄膜及一晶體化薄膜，其中該晶體化薄膜位于該非晶質(zhì)薄膜的上表面；以及

一第二阻障層，形成于該第一阻障層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻障堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的導(dǎo)體層包括一鈦層，該第一阻障層包括一第一氮化鈦層，該第二阻障層包括一第二氮化鈦層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻障堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的晶體化薄膜的厚度大于該非晶質(zhì)薄膜的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻障堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的晶體化薄膜是將該非晶質(zhì)薄膜進(jìn)行一改質(zhì)工藝而轉(zhuǎn)換形成疊，其中該改質(zhì)工藝為等離子體處理法。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的阻障堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的等離子體處理法使用的反應(yīng)氣體為氫氣與氮?dú)獾幕旌蜌怏w或氫氣與氟氣的混和氣體。