[發明專利]一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝在審
| 申請號： | 201210182204.2 | 申請日： | 2012-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN102738015A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 羅育光;郭小偉;崔夢;蒲鴻鳴;李萬霞 | 申請（專利權）人： | 華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710018 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 腐蝕 噴砂 aaqfn 產品 二次 塑封 制作 工藝 | ||
1.一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝，其特征在于：先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽，再用先噴砂后刷綠漆的方法填充，然后采用二次塑封的方法，具體制作工藝按照如下步驟進行：
第一步、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為50μm～200μm，粗糙度Ra?0.10um～0.30um；
第二步、劃片；
第三步、采用粘片膠上芯；
第四步、壓焊；
第五步、采用傳統塑封料進行一次塑封；
第六步、后固化；
第七步、框架背面蝕刻凹槽；用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以內；
第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封；
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。
2.根據權利要求1所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝，其特征在于：所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝；厚度在150μm以下晶圓，采用雙刀劃片機及其工藝。
3.根據權利要求1所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝，其特征在于：所述的方法中的第三步中上芯時采用的粘片膠用膠膜片(DAF)替換。
4.根據權利要求1所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝，其特征在于：所述的方法中的第八步二次塑封中使用30～32um顆粒度的塑封料填充。
5.根據權利要求1所述的一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝，其特征在于：所述的方法中的第四步、第六步、第九步均與常規AAQFN工藝相同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
