[發明專利]一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝在審
| 申請號: | 201210182204.2 | 申請日: | 2012-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN102738015A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 羅育光;郭小偉;崔夢;蒲鴻鳴;李萬霞 | 申請(專利權)人: | 華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 腐蝕 噴砂 aaqfn 產品 二次 塑封 制作 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及一種扁平封裝件塑封工序中的改良工藝,尤其是一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝,屬于集成電路封裝技術領域。
背景技術
集成電路是信息產業和高新技術的核心,是經濟發展的基礎。集成電路封裝是集成電路產業的主要組成部分,它的發展一直伴隨著其功能和器件數的增加而邁進。自20世紀90年代起,它進入了多引腳數、窄間距、小型薄型化的發展軌道。無載體柵格陣列封裝(即AAQFN)是為適應電子產品快速發展而誕生的一種新的封裝形式,是電子整機實現微小型化、輕量化、網絡化必不可少的產品。
無載體柵格陣列封裝元件,底部沒有焊球,焊接時引腳直接與PCB板連接,與PCB的電氣和機械連接是通過在PCB焊盤上印刷焊膏,配合SMT回流焊工藝形成的焊點來實現的。該技術封裝可以在同樣尺寸條件下實現多引腳、高密度、小型薄型化封裝,具有散熱性、電性能以及共面性好等特點。
AAQFN封裝產品適用于大規模、超大規模集成電路的封裝。AAQFN封裝的器件大多數用于手機、網絡及通信設備、數碼相機、微機、筆記本電腦和各類平板顯示器等高檔消費品市場。掌握其核心技術,具備批量生產能力,將大大縮小國內集成電路產業與國際先進水平的差距,該產品有著廣闊市場應用前景。
但是由于技術難度等限制,目前AAQFN產品在市場上的推廣有一定難度,尤其是在可靠性方面,直接影響產品的使用及壽命,已成為AAQFN封裝件的技術攻關難點。
發明內容
為了克服上述現有技術存在的問題,本發明提供一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝,使集成電路框架與塑封體結合更加牢固,不受外界環境影響,直接提高產品的封裝可靠性,同時降低成本。
為了實現上述目的,本發明采用一種基于腐蝕、噴砂的AAQFN產品的二次塑封制作工藝,先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽,再用先噴砂后刷綠漆的方法填充,然后采用二次塑封的方法,具體制作工藝按照如下步驟進行:
第一步、晶圓減?。痪A減薄厚度為50μm~200μm,粗糙度Ra?0.10um~0.30um;
第二步、劃片;
第三步、采用粘片膠上芯;
第四步、壓焊;
第五步、采用傳統塑封料進行一次塑封;
第六步、后固化;
第七步、框架背面蝕刻凹槽;用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開窗半蝕刻,形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以內;
第八步、刷磨、刷綠漆、二次塑封;
第九步、后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。
所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝;厚度在150μm以下晶圓,采用雙刀劃片機及其工藝;所述的方法中的第三步中上芯時采用的粘片膠可以用膠膜片(DAF)替換;所述的方法中的第八步二次塑封中使用30~32um顆粒度的塑封料填充;所述的方法中的第四步、第六步、第九步、均與常規AAQFN工藝相同。
本發明的有益效果:本發明先在框架上先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽,再用先噴砂后刷綠漆的方法填充,然后采用二次塑封的方法,在一次塑封的塑封料和框架間形成更加有效的防拖拉結構,使集成電路框架與塑封體結合更加牢固,不受外界環境影響,直接提高產品的封裝可靠性,同時,簡單易行,生產效率高,降低成本。
附圖說明
圖1為本發明中引線框架剖面圖;
圖2為本發明中上芯后產品剖面圖;
圖3為本發明中壓焊后產品剖面圖;
圖4為本發明中一次塑封后產品剖面圖;
圖5為本發明中框架背面蝕刻后產品剖面圖。
圖中:1-引線框架、2-粘片膠、3-芯片、4-鍵合線、5-塑封體、6-蝕刻凹槽。
具體實施方式
下面結合附圖1-5和實施例對本發明做進一步說明,以方便技術人員理解。
實施例1
先在框架上用腐蝕的方法形成凹槽,再用先噴砂后刷綠漆的方法填充,然后采用二次塑封的方法,具體制作工藝按照如下步驟進行:
第一步、晶圓減??;晶圓減薄厚度為50μm,粗糙度Ra?0.10um;
第二步、采用雙刀劃片機及其工藝進行劃片;
第三步、采用粘片膠上芯;
第四步、采用與常規AAQFN工藝相同的方法進行壓焊;
第五步、采用傳統塑封料進行一次塑封;
第六步、采用與常規AAQFN工藝相同的方法進行后固化;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





