[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210181674.7
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN102810330A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·沙曼維德姆;B·保羅;S·克里斯南;S·巴拉薩布拉曼寧
• 申請（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，包含：

形成靜態(tài)隨機存取存儲器單元，包含：

形成第一對P溝道場效應(yīng)晶體管，具有連接到電壓接點的共同源極和連接到另一個PFET的漏極的柵極；

形成大小小于所述第一對PFET的一對N溝道場效應(yīng)晶體管，具有連接到所述第一對PFET的個別PFET的所述漏極的漏極、連接到Vss接點的共同源極、和連接到所述第一對PFET的相對的PFET的所述漏極的柵極；

形成大小大于所述NFET且約為所述第一對PFET的一半的第二對PFET，所述第二對PFET的各者具有分別耦合到鏈結(jié)所述對的NFET的所述NFET的所述個別漏極到所述第一對PFET的所述PFET的所述漏極的連結(jié)的漏極；

形成互補位線，所述互補位線的各者分別連接到所述第二對PFET的源極；和

形成連接到所述第二對PFET的各者的柵極的字線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

連接電壓來源到所述電壓接點；

連接所述接地接點到接電電位；

通電所述字線到邏輯低水平；和

通電所述互補位線的一者到邏輯一水平且另一個位線到邏輯低水平來在所述靜態(tài)隨機存取存儲器單元中存儲邏輯一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

連接電壓來源到所述電壓接點；

連接所述接地接點到接電電位；

通電所述字線到邏輯低水平；和

通電所述互補位線的一者到邏輯一水平且另一個位線到邏輯低水平來在所述靜態(tài)隨機存取存儲器單元中存儲邏輯零。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

連接電壓來源到所述電壓接點；

連接所述接地接點到接電電位；

放電所述互補位線到邏輯低水平；

通電所述字線到邏輯低水平；和

檢測在所述互補位線中的電壓分裂來讀取存儲在所述靜態(tài)隨機存取存儲器單元中的邏輯值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含在一行中形成多個其它的靜態(tài)隨機存取存儲器單元，各耦合到所述字線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進一步包含形成多行的靜態(tài)隨機存取存儲器單元，形成多列的單元，每一行具有個別的字線，且所述靜態(tài)隨機存取存儲器單元的每一列耦合到個別對的互補位線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

形成大小約與所述第二對PFET相同的第三對PFET，所述第三對PFET的各者具有分別耦合到鏈結(jié)所述對的NFET的所述NFET的所述個別漏極到所述第一對PFET的所述PFET的所述漏極的連結(jié)的漏極；

形成第二互補位線，所述第二互補位線的各者個別連接到所述第三對PFET的源極；和

形成連接到所述第三對PFET的各者的柵極的第二字線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進一步包含在一行中形成多個其它的靜態(tài)隨機存取存儲器單元，所述行的各靜態(tài)隨機存取存儲器單元具有耦合到所述字線的所述第二對PFET和耦合到所述第二字線的所述第三對PFET。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進一步包含形成多行的靜態(tài)隨機存取存儲器單元，形成多列的單元，每一行具有個別的字線和第二字線，且所述靜態(tài)隨機存取存儲器單元的每一列耦合到個別對的互補位線和第二互補位線。