[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210181593.7
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN103426870A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐紹祖;蔡瀛洲;藍(lán)章益
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導(dǎo)體封裝件，其包括：

一基板，其具有多個電性連接墊；

至少一半導(dǎo)體組件，其具有相對的第一表面與第二表面及與該第一與第二表面相接的側(cè)面，該半導(dǎo)體組件以其第一表面置放于該基板上，且該第一表面上具有多個電極墊；以及

焊線段，其具有相對的第一端與第二端，該焊線段以其第一端形成于該電極墊上，并朝該半導(dǎo)體組件側(cè)面向外的方向延伸，以令該焊線段的第二端結(jié)合該電性連接墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該焊線段的第二端具有金屬球部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該電性連接墊上具有導(dǎo)電凸塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體組件為多個時，各該半導(dǎo)體組件為相互堆棧。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件相互電性連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件以該焊線段作電性連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件系以該焊線段的第二端的導(dǎo)電層作電性連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件呈階梯狀堆棧、垂直對齊堆棧或交錯堆棧。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，部分該半導(dǎo)體組件呈垂直對齊堆棧，而部分該半導(dǎo)體組件呈階梯狀堆棧。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，還包括導(dǎo)電層，其形成于該電性連接墊上，以包覆該焊線段的部分表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，還包括絕緣材料，其形成于該電性連接墊上，以包覆該焊線段的部分表面。

12.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：

提供至少一半導(dǎo)體組件，該半導(dǎo)體組件具有相對的第一表面與第二表面及與該第一與第二表面相接的側(cè)面，該第一表面上具有多個電極墊；

形成焊線段于該電極墊上，該焊線段具有相對的第一端與第二端，該焊線段以其第一端形成于該電極墊上，且該焊線段的第二端朝該半導(dǎo)體組件側(cè)面向外的方向延伸；以及

使該半導(dǎo)體組件以其第一表面置放于一具有多個電性連接墊的基板上，且該電性連接墊結(jié)合該焊線段的第二端。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該焊線段的第二端具有金屬球部。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體組件為多個時，各該半導(dǎo)體組件為相互堆棧。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件以該焊線段作電性連接。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件之間以該焊線段的第二端進(jìn)行化鍍工藝或浸錫工藝作電性連接。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該些半導(dǎo)體組件呈階梯狀堆棧、垂直對齊堆棧或交錯堆棧。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，部分該半導(dǎo)體組件呈垂直對齊堆棧，而部分該半導(dǎo)體組件呈階梯狀堆棧。

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，還包括形成導(dǎo)電層于該電性連接墊上，以包覆該焊線段的部分表面。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該導(dǎo)電層的方式為化鍍工藝、電鍍工藝或浸錫工藝。

21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，還包括形成絕緣材料于該電性連接墊上，以包覆該焊線段的部分表面。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該絕緣材料的方式為點(diǎn)膠工藝、填充底膠工藝或模壓封裝工藝。