[發明專利]一種高精度DC/DC轉換器限流電路

有效

• 申請號: 201210179256.4
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102710129B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 袁小云;王曉飛;孫權
• 申請（專利權）人: 西安航天民芯科技有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 西安利澤明知識產權代理有限公司61222
• 代理人: 段國剛

技術領域

本發明屬于電學領域，特別涉及一種高精度DC/DC轉換器限流電路。

背景技術

近年來直流儲能便攜式電子設備迅猛發展，DC/DC類電源管理產品需求日趨擴大，隨著便攜式電子設備功能的日益強大，DC/DC集成電源管理系統的性能要求日益提高。傳統DC/DC轉換器的電流限制精度較差，隨著轉換系統占空比的變化而變化，從而影響了系統內部的峰值電流精度，進而影響了電源系統運行的可靠性，甚至影響整個設備的正常工作。

發明內容

本發明的目地是提供一種高精度DC/DC轉換器限流電路，實現電流限制與系統工作占空比無關，確保系統安全穩定的工作。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種高精度DC/DC轉換器限流電路，其特征在于，包括EA誤差放大器和電流限制補償電路。

所述EA誤差放大器為共源共柵單級放大器，包括七個P型MOS管和四個N型MOS管，其連接方式為：第一P型MOS管MP1的漏極、第二P型MOS管MP2的源極與第三P型MOS管MP3的源極連接；第二P型MOS管MP2的柵極與該誤差放大器的同向輸入端連接；第三P型MOS管MP3的柵極與該誤差放大器的反向輸入端連接；第二P型MOS管MP2的漏極、第三N型MOS管MN3的源極與第一N型MOS管MN1的漏極連接；第三P型MOS管MP3的漏極、第四N型MOS管MN4的源極與第二N型MOS管MN2的漏極連接；第四P型MOS管MP4的柵極、第五P型MOS管MP5的柵極、第六P型MOS管MP6的漏極與第三N型MOS管MN3的漏極連接；第四P型MOS管MP4的漏極與第六P型MOS管MP6的源極連接；第五P型MOS管MP5的漏極與第七P型MOS管MP7的源極連接；第七P型MOS管MP7的漏極、第四N型MOS管MN4的漏極與該誤差放大器的輸出端口Vout連接；第一P型MOS管MP1的柵極與偏置電壓Vpb1連接；第六P型MOS管MP6的柵極、第七P型MOS管MP7的柵極與偏置電壓Vpb2連接；第一N型MOS管MN1的柵極、第二N型MOS管MN2的柵極與偏置電壓Vnb1連接；第三N型MOS管MN3的柵極、第四N型MOS管MN4的柵極與偏置電壓Vnb2連接，第一P型MOS管MP1的源極、第四P型MOS管MP4的源極、第五P型MOS管MP5的源極與電源VDD連接，第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極與地GND連接。

所述電流限制補償電路包括比較器和限流電路。

所述比較器包括一個電流漏，五個P型MOS管和三個N型MOS管，其連接方式為：第零P型MOS管MP0的漏極、第零P型MOS管MP0的柵極、電流源I的輸入端、第四P型MOS管MP4的柵極與第一P型MOS管MP1的柵極連接；第一P型MOS管MP1的漏極、第二P型MOS管MP2的源極與第三P型MOS管MP3的源極連接；該運算放大器的同向輸入端口VP與第三P型MOS管MP3的柵極連接；該運算放大器的反向輸入端口VN與第二P型MOS管MP2的柵極連接；第二P型MOS管MP2的漏極、第零N型MOS管MN0的柵極、第零N型MOS管MN0的漏極與第一N型MOS管MN1的柵極連接；第三P型MOS管MP3的漏極、第一N型MOS管MN1的漏極與第二N型MOS管MN2的柵極連接；第四P型MOS管MP4的漏極、第二N型MOS管MN2的漏極與運放的輸出端Vout連接，第零P型MOS管MP0的源極、第一P型MOS管MP1的源極、第四P型MOS管MP4的源極與電源VDD連接，第零N型MOS管MN0的源極、第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極、電流源I的流出端與地GND連接。