[發明專利]一種高精度DC/DC轉換器限流電路

有效

• 申請號: 201210179256.4
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102710129B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 袁小云;王曉飛;孫權
• 申請（專利權）人: 西安航天民芯科技有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 西安利澤明知識產權代理有限公司61222
• 代理人: 段國剛

1.一種高精度DC/DC轉換器限流電路，其特征在于，包括EA誤差放大器和電流限制補償電路。

2.如權利要求1所述的一種高精度DC/DC轉換器限流電路，其特征在于，所述EA誤差放大器為共源共柵單級放大器，包括七個P型MOS管和四個N型MOS管，其連接方式為：第一P型MOS管MP1的漏極、第二P型MOS管MP2的源極與第三P型MOS管MP3的源極連接；第二P型MOS管MP2的柵極與該誤差放大器的同向輸入端連接；第三P型MOS管MP3的柵極與該誤差放大器的反向輸入端連接；第二P型MOS管MP2的漏極、第三N型MOS管MN3的源極與第一N型MOS管MN1的漏極連接；第三P型MOS管MP3的漏極、第四N型MOS管MN4的源極與第二N型MOS管MN2的漏極連接；第四P型MOS管MP4的柵極、第五P型MOS管MP5的柵極、第六P型MOS管MP6的漏極與第三N型MOS管MN3的漏極連接；第四P型MOS管MP4的漏極與第六P型MOS管MP6的源極連接；第五P型MOS管MP5的漏極與第七P型MOS管MP7的源極連接；第七P型MOS管MP7的漏極、第四N型MOS管MN4的漏極與該誤差放大器的輸出端口Vout連接；第一P型MOS管MP1的柵極與偏置電壓Vpb1連接；第六P型MOS管MP6的柵極、第七P型MOS管MP7的柵極與偏置電壓Vpb2連接；第一N型MOS管MN1的柵極、第二N型MOS管MN2的柵極與偏置電壓Vnb1連接；第三N型MOS管MN3的柵極、第四N型MOS管MN4的柵極與偏置電壓Vnb2連接，第一P型MOS管MP1的源極、第四P型MOS管MP4的源極、第五P型MOS管MP5的源極與電源VDD連接，第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極與地GND連接。

3.如權利要求1所述的一種高精度DC/DC轉換器限流電路，其特征在于，所述電流限制補償電路包括比較器和限流電路。

4.如權利要求3所述的一種高精度DC/DC轉換器限流電路，其特征在于，所述比較器包括一個電流漏，五個P型MOS管和三個N型MOS管，其連接方式為：第零P型MOS管MP0的漏極、第零P型MOS管MP0的柵極、電流源I的輸入端、第四P型MOS管MP4的柵極與第一P型MOS管MP1的柵極連接；第一P型MOS管MP1的漏極、第二P型MOS管MP2的源極與第三P型MOS管MP3的源極連接；該運算放大器的同向輸入端口VP與第三P型MOS管MP3的柵極連接；該運算放大器的反向輸入端口VN與第二P型MOS管MP2的柵極連接；第二P型MOS管MP2的漏極、第零N型MOS管MN0的柵極、第零N型MOS管MN0的漏極與第一N型MOS管MN1的柵極連接；第三P型MOS管MP3的漏極、第一N型MOS管MN1的漏極與第二N型MOS管MN2的柵極連接；第四P型MOS管MP4的漏極、第二N型MOS管MN2的漏極與運放的輸出端Vout連接，第零P型MOS管MP0的源極、第一P型MOS管MP1的源極、第四P型MOS管MP4的源極與電源VDD連接，第零N型MOS管MN0的源極、第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極、電流源I的流出端與地GND連接。

5.如權利要求3所述的一種高精度DC/DC轉換器限流電路，其特征在于，所述限流電路的連接方式為：第一運算放大器VO1的同相輸入端與端口Vin連接；第二運算放大器VO2的同相輸入端與端口Vo連接；第一運算放大器VO1的輸出端與第零N型MOS管MN0的柵極連接；第二運算放大器VO2的輸出端與第五N型MOS管MN5的柵極連接；第一運算放大器VO1的反相輸入端、第零N型MOS管MN0的源極與電阻R1的一端連接；第二運算放大器VO2的反相輸入端、第五N型MOS管MN5的源極與電阻R2的一端連接；第一P型MOS管MP1的漏極、第一P型MOS管MP1的柵極、第零N型MOS管MN0的漏極與第二P型MOS管MP2的柵極連接；第四P型MOS管MP4的漏極、第四P型MOS管MP4的柵極、第五N型MOS管MN5的漏極與第三P型MOS管MP3的柵極連接；第二P型MOS管MP2的漏極、第二N型MOS管MN2的漏極、第二N型MOS管MN2的柵極、第一N型MOS管MN1的柵極與第三N型MOS管MN3的漏極連接；第三P型MOS管MP3的漏極、第四N型MOS管MN4的漏極、第四N型MOS管MN4的柵極與第三N型MOS管MN3的柵極連接；電阻R3的一端與第一N型MOS管MN1的漏極連接；第一P型MOS管MP1的源極、第二P型MOS管MP2的源極、第三P型MOS管MP3的源極、第四P型MOS管MP4的源極、電阻R3的另一端與電源VDD連接，電阻R1的另一端、第一N型MOS管MN1的源極、第二N型MOS管MN2的源極、第三N型MOS管MN3的源極、第四N型MOS管MN4的源極、電阻R2的另一端與地GND連接。