[發明專利]制造顯示設備的方法

有效

• 申請號: 201210177907.6
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN103021938A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 坂野龍則;三浦健太郎;齊藤信美;中野慎太郎;上田知正;山口一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1368;H01L27/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種用于制造顯示設備的方法，包括：

用于在支承襯底上形成膜材料層的過程；

用于在第一溫度加熱所述膜材料層以形成膜層的第一加熱過程；

用于在高于所述溫度的第二溫度下加熱圍繞著第一區域的第二區域的第二加熱過程，所述第一區域設置在所述膜層的中央部分中；

用于在所述第一區域的部分中形成顯示層且在所述第二區域的至少一部分中形成外圍電路部分的過程；

用于在高于所述第二溫度的第三溫度下加熱在其中形成所述顯示層的范圍之外的所述膜層的至少一部分的第三加熱過程；以及

用于將所述膜層從所述支承襯底剝離的過程。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二加熱過程中所述膜層的溫度高于所述第一加熱過程中所述膜層的溫度。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第三加熱過程中所述膜層的溫度高于所述第一加熱過程中所述膜層的溫度。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，通過用激光器照射所述膜層或通過用鹵素燈加熱所述膜層來執行所述第二加熱過程。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，通過用激光器照射所述膜層或通過用鹵素燈加熱所述膜層來執行所述第三加熱過程。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，通過使用燈加熱退火、加熱板、以及加熱爐中的一個來執行所述第一加熱過程。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述膜層是由含有聚酰亞胺的材料制成的。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成顯示層和形成所述外圍電路部分的所述過程包括形成薄膜晶體管。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成顯示層和形成所述外圍電路部分的所述過程包括形成半導體層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述半導體層包括氧化物半導體。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述半導體層包括銦、鎵和鋅。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成所述顯示層的所述過程包括形成液晶層。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成所述顯示層的所述過程包括形成有機電致發光層。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加熱過程中的所述膜材料層的溫度不小于200°C且不大于500°C。

15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二加熱過程中的所述膜材料層的溫度不小于1000°C。

16.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述支承襯底是玻璃襯底。

17.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三加熱過程包括使用具有不小于180mJ/cm²的能量的激光器照射所述膜層。

18.如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二加熱過程包括使用具有不小于160mJ/cm²且小于180mJ/cm²的能量的激光器照射所述膜層。

19.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加熱過程導致聚酰胺酸通過脫水經受閉環反應。

20.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三加熱過程包括在所述支承襯底和所述膜層之間的至少一部分中形成空隙。