[發(fā)明專利]發(fā)光二極管元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210177876.4
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN103456873A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李學(xué)旻
• 申請（專利權(quán)）人: 李學(xué)旻
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管元件。

背景技術(shù)

本發(fā)明提供一種與目前的發(fā)光二極管元件結(jié)構(gòu)完全不相同的發(fā)光二極管元件。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的特征，一種發(fā)光二極管元件被提供，該發(fā)光二極管元件包含：晶元載體，該晶元載體具有一個(gè)晶元置放表面和數(shù)個(gè)彼此電氣隔離的電氣連接區(qū)；設(shè)置在該晶元載體的晶元置放表面上的發(fā)光二極管晶元，該發(fā)光二極管晶元具有半導(dǎo)體襯底、設(shè)置在該半導(dǎo)體襯底上且具有導(dǎo)電島的第一型半導(dǎo)體層、一個(gè)設(shè)置在該第一型半導(dǎo)體上且具有導(dǎo)電島的第二型半導(dǎo)體層、和一個(gè)設(shè)置在該第二型半導(dǎo)體層上且具有導(dǎo)電島的第一型半導(dǎo)體層，該等半導(dǎo)體層的導(dǎo)電島是經(jīng)由導(dǎo)線電氣連接到該晶元載體的對應(yīng)的電氣連接區(qū)；及形成在該晶元載體的晶元置放表面上使得可覆蓋該發(fā)光二極管晶元以及所述多條導(dǎo)線的透光保護(hù)層。

根據(jù)本發(fā)明的另一特征，一種發(fā)光二極管元件被提供，該發(fā)光二極管元件包含：晶元載體，該晶元載體具有一個(gè)晶元置放表面和數(shù)個(gè)彼此電氣隔離的電氣連接區(qū)；設(shè)置在該晶元載體的晶元置放表面上的發(fā)光二極管晶元，該發(fā)光二極管晶元具有半導(dǎo)體襯底、設(shè)置在該半導(dǎo)體襯底上的第一型半導(dǎo)體層、設(shè)置在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、設(shè)置在該第二型半導(dǎo)體層上的第一型半導(dǎo)體層、至少三個(gè)分別自該半導(dǎo)體襯底貫穿到對應(yīng)的半導(dǎo)體層的貫孔、形成在每個(gè)貫孔之內(nèi)壁面的絕緣層、及形成在每個(gè)貫孔內(nèi)的導(dǎo)電連接體，每個(gè)導(dǎo)電連接體的一端與對應(yīng)的半導(dǎo)體層電氣連接而另一端凸伸在對應(yīng)的貫孔外部使得可與該晶元載體的對應(yīng)的電氣連接區(qū)電氣連接；及形成于該晶元載體的晶元置放表面上使得可覆蓋該發(fā)光二極管晶元的透光保護(hù)層。

根據(jù)本發(fā)明的再一特征，一種發(fā)光二極管元件被提供，該發(fā)光二極管元件包含：晶元載體，該晶元載體具有一個(gè)晶元置放表面和數(shù)個(gè)彼此電氣隔離的電氣連接區(qū)；設(shè)置在該晶元載體的晶元置放表面上的發(fā)光二極管晶元，該發(fā)光二極管晶元具有半導(dǎo)體襯底、設(shè)置在該半導(dǎo)體襯底上且具有導(dǎo)電島的第一型半導(dǎo)體層、在不遮蔽該第一型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電島之下設(shè)置在該第一型半導(dǎo)體層上且具有一導(dǎo)電島的第二型半導(dǎo)體層、及在不遮蔽該第二型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電島之下設(shè)置在該第二型半導(dǎo)體層上且具有導(dǎo)電島的第一型半導(dǎo)體層；形成在該等半導(dǎo)體層上的反射層，該反射層形成有數(shù)個(gè)暴露對應(yīng)的導(dǎo)電島的貫孔；形成在該反射層上的絕緣層，該絕緣層具有與對應(yīng)的貫孔對準(zhǔn)的通孔；數(shù)個(gè)導(dǎo)電連接體，每個(gè)導(dǎo)電連接體經(jīng)由對應(yīng)的貫孔和與該對應(yīng)的貫孔對準(zhǔn)的通孔來從對應(yīng)的導(dǎo)電島延伸到該絕緣層外部使得可與該晶元載體的對應(yīng)的電氣連接區(qū)電氣連接；及形成于該晶元載體的晶元置放表面上使得可覆蓋該發(fā)光二極管晶元的透光保護(hù)層。

根據(jù)本發(fā)明的又再一特征，一種發(fā)光二極管元件被提供，該發(fā)光二極管元件包含：晶元載體，該晶元載體具有第一表面、與該第一表面相對的第二表面、數(shù)個(gè)連通該第一與第二表面的貫穿孔、及數(shù)個(gè)形成于該晶元載體的第二表面上且各位在對應(yīng)的貫穿孔四周的固定座；發(fā)光二極管晶元，該發(fā)光二極管晶元具有半導(dǎo)體襯底、設(shè)置在該半導(dǎo)體襯底上且在預(yù)定的位置具有導(dǎo)電島的第一型半導(dǎo)體層、及在不遮蔽該第一型半導(dǎo)體層的導(dǎo)電島之下設(shè)置在該第一型半導(dǎo)體層上且在預(yù)定的位置具有一導(dǎo)電島的第二型半導(dǎo)體層；形成在所述多個(gè)半導(dǎo)體層的表面上的反射層，該反射層形成有數(shù)個(gè)暴露對應(yīng)的導(dǎo)電島的貫孔；形成在該反射層上且形成有與對應(yīng)的貫孔對準(zhǔn)的通孔的具粘著特性的絕緣層；數(shù)個(gè)導(dǎo)電連接體，每個(gè)導(dǎo)電連接體從對應(yīng)的導(dǎo)電島經(jīng)由對應(yīng)的貫孔、對應(yīng)的通孔、和對應(yīng)的貫穿孔延伸到對應(yīng)的固定座；及形成在該晶元載體的第一表面上使得可覆蓋該發(fā)光二極管晶元的透光保護(hù)層。

附圖說明

圖1為用于描繪本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意部份剖視圖；

圖2為晶體管的偏壓曲線圖；

圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管元件與公知發(fā)光二極管元件的偏壓曲線比較圖；

圖4為用于描繪本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意部份剖視圖；

圖5為用于描繪本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意部份剖視圖；

圖6為用于描繪本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意部份剖視圖；及

圖7為用于描繪本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意部份剖視圖。

具體實(shí)施方式

在后面的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明中，相同或類似的元件是由相同的標(biāo)號標(biāo)示，而且它們的詳細(xì)描述將會(huì)被省略。此外，為了清楚揭示本發(fā)明的特征，在圖式中之元件并非按實(shí)際比例描繪。

圖1為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖。