[發明專利]發光二極管元件

無效

• 申請號: 201210177876.4
• 申請日: 2012-06-01
• 公開（公告）號: CN103456873A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 李學旻
• 申請（專利權）人: 李學旻
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種發光二極管元件，包含：

晶元載體，所述晶元載體具有一個晶元置放表面和數個彼此電氣隔離的電氣連接區；

設置在所述晶元載體的晶元置放表面上的發光二極管晶元，所述發光二極管晶元具有半導體襯底、設置在所述半導體襯底上且具有導電島的第一型半導體層、一個設置在所述第一型半導體上且具有導電島的第二型半導體層、和一個設置在所述第二型半導體層上且具有導電島的第一型半導體層，所述多個半導體層的導電島經由導線來電氣連接到所述晶元載體的對應的電氣連接區；及

形成在所述晶元載體的晶元置放表面上使得可覆蓋所述發光二極管晶元以及所述多條導線的透光保護層。

2.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中，所述透光保護層可以摻雜有熒光粉材料。

3.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中，所述第一型半導體層為p型半導體層而所述第二型半導體層為n型半導體層。

4.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中，所述第一型半導體層為n型半導體層而所述第二型半導體層為p型半導體層。

5.一種發光二極管元件，包含：

晶元載體，所述晶元載體具有一個晶元置放表面和數個彼此電氣隔離的電氣連接區；

設置在所述晶元載體的晶元置放表面上的發光二極管晶元，所述發光二極管晶元具有半導體襯底、設置在所述半導體襯底上的第一型半導體層、設置在所述第一型半導體層上的第二型半導體層、設置在所述第二型半導體層上的第一型半導體層、至少三個分別自所述半導體襯底貫穿到對應的半導體層的貫孔、形成在每個貫孔之內壁面的絕緣層、及形成在每個貫孔內的導電連接體，每個導電連接體的一端與對應的半導體層電氣連接而另一端凸伸在對應的貫孔外部使得可與所述晶元載體的對應的電氣連接區電氣連接；及

形成于所述晶元載體的晶元置放表面上使得可覆蓋所述發光二極管晶元的透光保護層。

6.如權利要求5所述的發光二極管元件，其中，所述透光保護層可以摻雜有熒光粉材料。

7.如權利要求5所述的發光二極管元件，其中，所述第一型半導體層為p型半導體層而所述第二型半導體層為n型半導體層。

8.如權利要求5所述的發光二極管元件，其中，所述第一型半導體為n型半導體層而所述第二型半導體層為p型半導體層。

9.如權利要求5所述的發光二極管元件，其中，所述多個導電連接體可以由氧化銦錫(ITO)形成。

10.如權利要求5所述的發光二極管元件，其中，所述多個導電連接體可以由任何導電金屬材料形成。

11.一種發光二極管元件，包含：

晶元載體，所述晶元載體具有一個晶元置放表面和數個彼此電氣隔離的電氣連接區；

設置在所述晶元載體的晶元置放表面上的發光二極管晶元，所述發光二極管晶元具有半導體襯底、設置在所述半導體襯底上且具有導電島的第一型半導體層、在不遮蔽所述第一型半導體層的導電島之下設置在所述第一型半導體層上且具有導電島的第二型半導體層、及在不遮蔽所述第二型半導體層的導電島之下設置在所述第二型半導體層上且具有導電島的第一型半導體層；

形成在所述多個半導體層上的反射層，所述反射層形成有數個暴露對應的導電島的貫孔；

形成在所述反射層上的絕緣層，所述絕緣層具有與對應的貫孔對準的通孔；

數個導電連接體，每個導電連接體經由對應的貫孔和與所述對應的貫孔對準的通孔來從對應的導電島延伸到所述絕緣層外部使得可與所述晶元載體的對應的電氣連接區電氣連接；及

形成于所述晶元載體的晶元置放表面上使得可覆蓋所述發光二極管晶元的透光保護層。

12.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中，所述透光保護層可以摻雜有熒光粉材料。

13.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中，所述第一型半導體層為p型半導體層而所述第二型半導體層為n型半導體層。

14.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中，所述第一型半導體為n型半導體層而所述第二型半導體層為p型半導體層。

15.如權利要求11所述的發光二極管元件，其中，所述多個導電連接體可以由氧化銦錫(ITO)形成。