[發(fā)明專利]存儲可靠性驗證技術

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210177349.3
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102810335A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設計）人: 喬爾·哈特施;卡爾·霍夫曼;彼得·胡貝爾;西格馬爾·克佩
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種存儲設備，包括：

存儲單元，包括：一對交叉耦合的反相器，被配置為協(xié)同地存儲至少一位數(shù)據(jù)，以及第一和第二存取晶體管，所述第一和第二存取晶體管的各自的源極耦接至所述反相器的相應的輸入端；

第一和第二位線，分別耦接至所述第一和第二存取晶體管的各自的漏極；

字線，分別耦接至所述第一和第二存取晶體管的第一和第二柵極；

第一和第二位線驅動器，分別耦接至所述第一和第二位線；所述第一和第二位線驅動器被配置為基于將被寫入所述存儲單元的所預期的數(shù)據(jù)狀態(tài)來選擇性地有效對于所述第一和第二位線的預定電流脈沖；以及

失真電路，耦接至所述第一和第二位線，并被配置為在所述字線有效的同時，向所述第一或第二位線中的至少一條增添電流或從所述第一或第二位線中的至少一條減少電流，從而測試所述存儲單元的寫裕量或讀裕量。

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲設備，其中，所述失真電路包括：

預充電電路，耦接至所述第一和第二位線中的至少一條，其中，為了測試所述存儲單元的所述寫裕量或讀裕量，所述預充電電路被配置為向所述至少一條位線傳送預定的電荷。

3.根據(jù)權利要求2所述的存儲設備，其中，所述預充電電路包括：

第一多個預充電元件，被布置為彼此并聯(lián)并耦接至所述第一位線；以及

第二多個預充電元件，被布置為彼此并聯(lián)并耦接至所述第二位線。

4.根據(jù)權利要求3所述的存儲設備，其中，所述第一多個預充電元件中的每一個能夠獨立于所述第二多個預充電元件而有效。

5.根據(jù)權利要求3所述的存儲設備，其中，所述第一多個預充電元件中的至少一個的控制端子連接至所述第二多個預充電元件中的至少一個的控制端子。

6.根據(jù)權利要求2所述的存儲設備，其中，所述預充電電路包括：

下拉電路，耦接至所述第一和第二位線中的至少一條，并且被配置為選擇性地向所述第一和第二位線中的至少一條增添電流或從所述第一和第二位線中的至少一條減少電流以測試所述寫裕量或讀裕量。

7.根據(jù)權利要求6所述的存儲設備，其中，所述下拉電路包括：

第一多個下拉元件，被布置為彼此并聯(lián)并耦接至所述第一位線；以及

第二多個下拉元件，被布置為彼此并聯(lián)并耦接至所述第二位線。

8.根據(jù)權利要求7所述的存儲設備，其中，所述第一多個下拉元件中的每一個相對于所述第二多個下拉元件中的每一個能夠獨立地有效。

9.根據(jù)權利要求7所述的存儲設備，其中，所述第一多個下拉元件中的至少一個的控制端子連接至所述第二多個下拉元件中的至少一個的控制端子。

10.根據(jù)權利要求2所述的存儲設備，其中，所述預充電電路包括：

上拉電路，耦接至所述第一和第二位線中的至少一條，并且被配置為選擇性地向所述第一和第二位線中的至少一條增添電流或從所述第一和第二位線中的至少一條減少電流從而測試所述寫裕量或讀裕量。

11.根據(jù)權利要求10所述的存儲設備，其中，所述上拉電路包括：

第一多個上拉元件，被布置為彼此并聯(lián)并耦接至所述第一位線；以及

第二多個上拉元件，被布置為彼此并聯(lián)并耦接至所述第二位線。

12.根據(jù)權利要求11所述的存儲設備，其中，所述第一多個上拉元件中的每一個相對于所述第二多個上拉元件中的每一個能夠獨立地有效。

13.根據(jù)權利要求11所述的存儲設備，其中，所述第一多個上拉元件的至少一個的控制端子連接至所述第二多個上拉元件中的至少一個的控制端子。

14.根據(jù)權利要求2所述的存儲設備，其中，所述預充電電路還包括：

上拉電路，耦接至所述第一和第二位線中的至少一條；

下拉電路，耦接至所述第一和第二位線中的至少一條并被布置為與所述上拉電路串聯(lián)；

其中，所述上拉電路和下拉電路形成電阻分壓器，所述電阻分壓器被布置為選擇性地向所述第一和第二位線中的至少一條增添電流或從所述第一和第二位線中的至少一條減少電流，從而測試所述寫裕量或讀裕量。