[發(fā)明專利]低軌等離子體環(huán)境高壓太陽(yáng)電池陣弧光放電抑制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210177257.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103456831A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊華星;王治易;陳建祥;路火平;董毅;蔣松 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海宇航系統(tǒng)工程研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
| 地址: | 201108 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 環(huán)境 高壓 太陽(yáng)電池 弧光 放電 抑制 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種低軌等離子體環(huán)境高壓太陽(yáng)電池陣弧光放電抑制方法,屬于航天器電源系統(tǒng)太陽(yáng)電池陣技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
我國(guó)載人航天工程的主要空間飛行器工作在300~500km高度的低地球軌道上,該高度區(qū)空間等離子體主要是電離層等離子體。300~500km軌道的環(huán)境比較復(fù)雜,等離子體在此區(qū)間中的密度有個(gè)峰值。航天器的供電來(lái)源主要是太陽(yáng)電池陣,隨著航天器對(duì)長(zhǎng)壽命的需要,太陽(yáng)電池陣的功率輸出變得越來(lái)越大,為了降低長(zhǎng)距離電傳輸中的損耗,減少重量,需要采用高效率結(jié)構(gòu)輕的新型高壓太陽(yáng)電池陣。由于電子速度比離子大很多,飛行器結(jié)構(gòu)會(huì)帶負(fù)電位,到達(dá)飛行器的電子隨機(jī)電流比離子電流大很多,電池陣的大部分面積和連接的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)會(huì)聚集離子,導(dǎo)致電池陣和飛行器結(jié)構(gòu)上的凈電流為零。根據(jù)空間環(huán)境的特點(diǎn),電池陣面上聚集的大部分電流為負(fù)偏壓,達(dá)到100V及以上的高壓太陽(yáng)電池陣,其在低軌道等離子體環(huán)境中會(huì)產(chǎn)生弧光放電。一次放電會(huì)造成功率損失和電磁干擾,二次弧光放電會(huì)造成較大的功率損失和電磁干擾,損壞太陽(yáng)電池電路甚至造成永久短路。國(guó)內(nèi)已有的技術(shù)是針對(duì)高軌高壓剛性太陽(yáng)電池陣靜電防護(hù)。由于高軌環(huán)境與低軌環(huán)境的不同,太陽(yáng)電池陣結(jié)構(gòu)的不同,所以該項(xiàng)技術(shù)并不適用于低軌高壓太陽(yáng)電池陣。本發(fā)明針對(duì)低軌高壓太陽(yáng)電池陣,解決了低軌等離子體環(huán)境太陽(yáng)電池陣弧光放電抑制問(wèn)題。
目前沒(méi)有發(fā)現(xiàn)與同本發(fā)明類似技術(shù)的說(shuō)明或報(bào)道,也尚未收集到國(guó)內(nèi)外類似的資料。
發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)不足,本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是實(shí)現(xiàn)高壓太陽(yáng)電池陣低軌等離子體環(huán)境弧光放電抑制,并通過(guò)放電試驗(yàn)驗(yàn)證抑制方法的有效性,提高高壓太陽(yáng)電池陣在低軌等離子體環(huán)境中的適應(yīng)性。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明針對(duì)低軌高壓太陽(yáng)電池陣特點(diǎn),提出了低軌等離子體環(huán)境弧光放電抑制和驗(yàn)證方法:采用太陽(yáng)電池電路裸露導(dǎo)體涂覆RTV硅膠的方法,或?qū)㈦娐奉A(yù)埋在基板內(nèi),隔離導(dǎo)體與等離子體的接觸,提高放電閾值,減少弧光放電的發(fā)生;優(yōu)化布片設(shè)計(jì),使電池電路最大串間電壓小于55V,小于二次弧光放電閾值;優(yōu)化電池電路串間距離設(shè)計(jì),提高二次弧光放電閾值,設(shè)計(jì)串間距離2mm;單串電池模塊電路輸出電流小于0.8A并加隔離二極管進(jìn)行隔離,以此減小二次弧光放電的維持電流,提高二次弧光放電的電壓閾值;滿足玻璃蓋片邊緣超過(guò)電池邊緣0.1mm,完全覆蓋太陽(yáng)電池,阻斷電池與等離子體的接觸,減少弧光放電的發(fā)生;采用真空罐模擬低軌真空環(huán)境,采用ECR型等離子體源產(chǎn)生等離子體,模擬低軌等離子體環(huán)境,將太陽(yáng)電池陣小試件放在真空罐中,進(jìn)行一次弧光放電和二次弧光放電模擬試驗(yàn),得到高壓太陽(yáng)電池陣一次弧光放電和二次弧光放電電壓電流閾值,完成高壓太陽(yáng)電池陣低軌等離子體環(huán)境放電的驗(yàn)證。
采用本發(fā)明的弧光放電抑制方法,可有效解決高壓太陽(yáng)電池陣低軌等離子體環(huán)境弧光放電抑制和驗(yàn)證問(wèn)題,在低軌高壓太陽(yáng)電池陣設(shè)計(jì)中采用本發(fā)明,研制出可在軌飛行的半剛性太陽(yáng)電池陣和通過(guò)了試驗(yàn)驗(yàn)證的放電閾值較高的柔性太陽(yáng)電池陣,可以提高高壓太陽(yáng)電池陣在低軌等離子體環(huán)境中的適應(yīng)性,達(dá)到減少其在軌一次弧光放電,杜絕在軌二次弧光放電的抑制效果。
附圖說(shuō)明
圖1?半剛性太陽(yáng)電池板示意圖
圖2?柔性太陽(yáng)電池板示意圖
圖3?半剛性電池板試件示意圖
圖4?柔性電池板試件示意圖
圖5?一次放電試驗(yàn)配置圖
圖6?二次弧光放電試驗(yàn)配置圖
圖7?一次放電路徑示意圖
圖8?二次弧光放電路徑示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
如圖1所示,采用太陽(yáng)電池電路裸露導(dǎo)體涂覆RTV硅膠1的方法,隔離導(dǎo)體與等離子體的接觸。半剛性高壓太陽(yáng)電池板與剛性太陽(yáng)電池板有較大不同,半剛性太陽(yáng)電池陣的電池模塊固定在網(wǎng)格面板上,太陽(yáng)電池片7的兩面粘貼幾何尺寸略大的正面玻璃蓋片3和背面玻璃蓋片4,以將暴露在等離子體環(huán)境中的帶電部位(片間互連片5——太陽(yáng)電池片7邊緣)結(jié)合處進(jìn)行完全的隔離;電池模塊由6個(gè)或4個(gè)電池單元(2×3或2×2陣列)組成;從電池模塊正面引到背面的匯流條6作為電傳輸,表面涂覆RTV硅膠1,實(shí)現(xiàn)裸露的導(dǎo)體與等離子環(huán)境的隔離。控制相鄰電池串間間隙為2mm。?
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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