[發明專利]低軌等離子體環境高壓太陽電池陣弧光放電抑制方法有效
| 申請號: | 201210177257.5 | 申請日: | 2012-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN103456831A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 楊華星;王治易;陳建祥;路火平;董毅;蔣松 | 申請(專利權)人: | 上海宇航系統工程研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 環境 高壓 太陽電池 弧光 放電 抑制 方法 | ||
1.一種適用于低軌等離子體環境高壓太陽電池陣弧光放電抑制方法,其特征在于:
采用太陽電池電路裸露導體涂覆RTV硅膠的方法,或將電路預埋在基板內,隔離導體與等離子體的接觸,提高放電閾值,減少弧光放電的發生;
優化布片設計,使電池電路最大串間電壓小于55V,小于二次弧光放電閾值;
優化電池電路串間距離設計,提高二次弧光放電閾值,設計串間距離2mm;
單串電池模塊電路輸出電流小于0.8A并加隔離二極管進行隔離,以此減小二次弧光放電的維持電流,提高二次弧光放電的電壓閾值;
滿足玻璃蓋片邊緣超過電池邊緣0.1mm,完全覆蓋太陽電池,阻斷電池與等離子體的接觸,減少弧光放電的發生;
采用真空罐模擬低軌真空環境,采用ECR型等離子體源產生等離子體,模擬低軌等離子體環境,將太陽電池陣小試件放在真空罐中,進行一次弧光放電和二次弧光放電模擬試驗,得到高壓太陽電池陣一次弧光放電和二次弧光放電電壓電流閾值,完成高壓太陽電池陣低軌等離子體環境放電的驗證。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





