[發明專利]一種高導電性、寬光譜高透過性的MgZnAlO及其復合結構納米纖維的制備方法無效
| 申請號： | 201210176676.7 | 申請日： | 2012-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN102851791A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 方鉉;李曉妮;陳新影;方芳;魏志鵬;李金華;王曉華;楚學影;王菲;李霜;汪劍波 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | D01F9/08 | 分類號： | D01F9/08;D01D5/00;D01D10/02 |
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| 地址： | 130022 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電性 光譜 透過 mgznalo 及其 復合 結構 納米 纖維 制備 方法 | ||
1.一種用靜電紡絲技術和原子層沉積技術相結合的方法制備高導電性、寬光譜高透過性的MgZnAlO及其復合結構的納米纖維的方法，具體實施步驟為：
(1)配制電紡熔液，采用靜電紡絲技術生長PVP納米纖維。
(2)以PVP納米纖維為模板，利用原子層沉積技術在其上沉積MgZnAlO薄層，構建MgZnAlO/PVP復合結構納米纖維及MgZnAlO納米纖維。
(3)本方法可以精確控制纖維的直徑，且獲得的納米纖維表面平滑，尺寸均勻。
(4)本方法可精確的對所摻雜的Mg和Al的組分進行控制。
(5)對復合結構納米纖維進行高溫退火處理，去除PVP模板，可得到管狀MgZnAlO納米纖維。
2.根據權利要求1所述的，本發明方法可制備高導電性、寬光譜高透過性納米纖維。
3.根據權利要求1所述的，本發明制備納米纖維的方法的特征在于：用靜電紡絲技術和原子層沉積技術相結合的方法生長MgZnAlO及其復合結構的納米纖維。
4.根據權利要求1所述的，本發明使用原子層沉積技術，可以簡單精確地根據控制循環周期在原子級別控制納米纖維的直徑。
5.根據權利要求1所述的，本發明中對所摻雜的Mg和Al的組分的控制也是比較簡單和精確的。通過計算只要改變各組分中的程序設計就可根據需要精確控制各組分的含量。
6.根據權利要求1所述的，本發明制備的的MgZnAlO納米纖維是對MgZnAlO/PVP復合納米纖維直接進行高溫退火處理，去除PVP模板。?
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