[發明專利]高折射率散射層的制備方法及高出光效率的OLED制備方法有效
| 申請號: | 201210175471.7 | 申請日: | 2012-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN102709489A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 張國輝;董艷波;劉永祥;段煉 | 申請(專利權)人: | 昆山維信諾顯示技術有限公司;北京維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 張建綱 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 折射率 散射 制備 方法 高出光 效率 oled | ||
1.一種高折射率散射層的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、制備研磨分散液,所述研磨分散液包括:
高折射率散射顆粒,其質量百分比為:10%-60%;
分散劑,其質量占所述高折射率散射顆粒的1%-60%;
防沉劑,其質量百分比為:0-5%;
光刻膠,其質量百分比為:0-60%;
有機溶劑,其質量百分比為:20%-89.9%;
S2、采用過濾孔孔徑在0.8um-1.2um的濾紙壓濾所述步驟S1制備的研磨分散液,得到制膜溶液;
S3、所述步驟S2制備的所述制膜溶液經光刻旋涂制備得到高折射率散射層。
2.根據權利要求1所述的高折射率散射層的制備方法,其特征在于:
所述高折射率散射顆粒選自TiO2、ZrO2、SiO2、SiO、TiO中的一種。
3.根據權利要求1或2所述的高折射率散射層的制備方法,其特征在于:
所述分散劑采用鈦白分散劑。
4.根據權利要求1-3任一所述的高折射率散射層的制備方法,其特征在于:
所述防沉劑采用鈦白防沉劑。
5.根據權利要求1-4任一所述的高折射率散射層的制備方法,其特征在于:
所述步驟S2所述濾紙孔徑為0.8um。
6.根據權利要求1-5任一所述的高折射率散射層的制備方法,其特征在于:
所述散射層的厚度為0.3um-3um。
7.一種利用權利要求1-6任一所述的高折射率散射層的制備方法制備得到的高折射率散射層。
8.一種高出光效率的OLED制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
Ⅰ.按照權利要求1-6任一所述的制備高折射率散射層的制備方法在基板(1)上制備高折射率散射層(2);
Ⅱ.在所述高折射率散射層(2)上制備第一電極(3);
Ⅲ.在所述第一電極(3)上制備有機功能層(4);
Ⅳ.在所述有機功能層(4)上制備第二電極(5);
Ⅴ.封裝。
9.根據權利要求8所述的高出光效率的OLED制備方法,其特征在于:
所述步驟Ⅰ之后還包括如下步驟
:刻蝕去掉封裝時與封裝膠(6)對應區域的高折射率散射層。
10.根據權利要去8所述的高出光效率的OLED制備方法,其特征在于:
所述步驟中,刻蝕去掉封裝時與封裝膠(6)對應區域之外的所有的高折射率散射層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





