[發(fā)明專利]應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210173966.6
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN103454818A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳慧穎;何家齊
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及制造方法，且特別是涉及一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)今的液晶顯示器（Liquid?Crystal?Display，LCD）中，晶體管陣列基板（transistor?array?substrate）的多條導(dǎo)電線，例如掃描線（scan?line）與數(shù)據(jù)線（data?line），通常都是采用濺鍍（sputtering）、微影（photolithography）與蝕刻（etching）來形成。詳細(xì)而言，在利用濺鍍形成金屬層之后，會在此金屬層上形成一層光阻層（photoresist?layer），其中光阻層會局部暴露金屬層。之后，以此光阻層作為屏蔽，蝕刻金屬層，以形成這些導(dǎo)電線。

圖1是經(jīng)過蝕刻后所形成的一種已知晶體管陣列基板的導(dǎo)電線的剖面示意圖。請參閱圖1，在基板100上的金屬層（未示出）經(jīng)過蝕刻而形成導(dǎo)電線110之后，導(dǎo)電線110的側(cè)面有時候會形成傾斜側(cè)面111，其中傾斜側(cè)面111與基板100板面101之間的夾角A1會大于90度。

詳細(xì)而言，導(dǎo)電線110具有一頂面112與一底面114，其中頂面112相對于底面114，而底面114接觸基板100板面101。從圖1來看，頂面112的面積大于底面114的面積，而導(dǎo)電線110的寬度W1實質(zhì)上會從頂面112朝向底面114漸縮，從而形成傾斜側(cè)面111。

然而，如果后續(xù)流程需要進(jìn)行濺鍍等真空沉積（vacuum?deposition）的話，傾斜側(cè)面111會不利于真空沉積。詳細(xì)而言，位于傾斜側(cè)面111處的部分導(dǎo)電線110會遮蓋板面101，以至于位于傾斜側(cè)面111下方的板面101很難經(jīng)由沉積而形成膜層。因此，在進(jìn)行完真空沉積之后，傾斜側(cè)面111與板面101之間可能會形成空洞（cavity）而降低導(dǎo)電線110的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，造成導(dǎo)電線110發(fā)生斷裂的可能性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其在進(jìn)行真空沉積之后可以減少上述空洞形成的機(jī)率。

本發(fā)明另提供一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其能制造上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明一實施例提出一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其形成在一板材的一上表面上，并且包括一第一金屬層、一氮化物層以及一第二金屬層。第一金屬層位于上表面上，并具有一第一側(cè)面以及一相連第一側(cè)面的底面，其中第一金屬層的成分含有鉬，而底面接觸上表面。氮化物層位于第一金屬層上，并具有一第二側(cè)面，其中氮化物層的成分含有鉬。第二金屬層位于氮化物層上，并具有一第三側(cè)面，其中第二側(cè)面鄰接第一側(cè)面與第三側(cè)面，以形成一斜面，而斜面與底面之間的夾角介于20度至75度之間。

本發(fā)明另一實施例還提出一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法。在此導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法中，首先，進(jìn)行一第一真空沉積，以在一板材的一上表面上形成一第一金屬層，其中第一金屬層的成分含有鉬，而第一金屬層具有一接觸上表面的底面。接著，在第一金屬層上形成一氮化物層，其中氮化物層的成分含有原子百分比在55以上的鉬。接著，在氮化物層上形成一第二金屬層。接著，圖案化第一金屬層、氮化物層與第二金屬層，以局部暴露上表面，并形成一斜面，其中斜面與底面之間的夾角介于20度至75度之間。

基于上述，利用第一金屬層與氧化物層，可以在板材上形成具有斜面的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。由于斜面與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的底面之間的夾角介于20度至75度之間，因此位于斜面處的部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)不會遮蓋板材。如此，在進(jìn)行后續(xù)真空沉積的過程中，沉積物能覆蓋斜面，以減少在斜面與板材之間形成空洞的機(jī)率。

為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅是用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的權(quán)利要求范圍作任何的限制。

附圖說明

圖1是經(jīng)過蝕刻后所形成的一種已知晶體管陣列基板的導(dǎo)電線的剖面示意圖。

圖2是本發(fā)明一實施例的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所應(yīng)用的面板的剖面示意圖。

圖3是本發(fā)明另一實施例的應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖4A至圖4E是圖3中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法的流程剖面示意圖。

圖5A至圖5B是本發(fā)明另一實施例中氮化物層的形成流程的剖面示意圖。

【主要元件符號說明】

30板材

32、212、222上表面

40光阻圖案

100、210基板

101板面

110導(dǎo)電線

111傾斜側(cè)面

112、322頂面