[發(fā)明專利]應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210173966.6
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN103454818A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳慧穎;何家齊
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成在板材的上表面上，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：

第一金屬層，所述第一金屬層位于所述上表面上，并具有第一側(cè)面以及與所述第一側(cè)面相連的底面，其中所述第一金屬層的成分含有鉬，而所述底面與所述上表面相接觸；

氮化物層，所述氮化物層位于所述第一金屬層上，并具有第二側(cè)面，其中所述氮化物層的成分含有鉬；以及

第二金屬層，所述第二金屬層位于所述氮化物層上，并具有第三側(cè)面，其中所述第二側(cè)面與所述第一側(cè)面及所述第三側(cè)面鄰接以形成斜面，而所述斜面與所述底面之間的夾角介于20度至75度之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層的厚度在14納米以內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層的厚度在8納米以內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化物層的厚度在40納米以內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化物層中的鉬的原子百分比介于55%至98.8%之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化物層中的鉬的原子百分比介于65%至98.5%之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬層為銅金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述板材為玻璃基板。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述板材包括：

基板；以及

絕緣層，所述絕緣層位于所述基板上，并具有所述上表面。

10.一種應(yīng)用于面板的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

進(jìn)行第一真空沉積，以在板材的上表面上形成第一金屬層，其中所述第一金屬層的成分含有鉬，而所述第一金屬層具有與所述上表面相接觸的底面；

在所述第一金屬層上形成氮化物層，其中所述氮化物層的成分含有鉬；

在所述氮化物層上形成第二金屬層；以及

對所述第一金屬層、所述氮化物層與所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理以局部暴露所述上表面，并形成斜面，其中所述斜面與所述底面之間的夾角介于20度至75度之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述氮化物層的方法是進(jìn)行第二真空沉積。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第二真空沉積采用的濺鍍靶材為氮化鉬靶或氮化鉬合金靶。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第二真空沉積采用的濺鍍靶材為鉬金屬靶或鉬合金靶。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第二真空沉積的期間，通入氮?dú)庵了霭宀乃幍墓に嚽皇覂?nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述氮化物層的方法包括對所述第一金屬層進(jìn)行電漿轟擊，而所述電漿轟擊的氣體來源包括氮?dú)狻?/p>

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，對所述第一金屬層、所述氮化物層與所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理的方法包括：

以光阻圖案作為屏蔽，對所述第一金屬層、所述氮化物層與所述第二金屬層進(jìn)行蝕刻。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層、所述氮化物層與所述第二金屬層通過蝕刻藥液或電漿來蝕刻，其中所述蝕刻藥液的成分含有水、過氧化氫以及鹽類材料，所述鹽類材料為無氟無機(jī)鹽或含氟氨鹽。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述板材為玻璃基板。

19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述板材包括：

基板；以及

絕緣層，所述絕緣層位于所述基板上，并具有所述上表面。

20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第二金屬層為銅金屬層。