[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及字線譯碼布線方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210173803.8
• 申請(qǐng)日: 2012-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103456350A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃永昌;郭靖;陳華;馬吉平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 輝達(dá)公司
• 主分類號(hào): G11C11/413
• 分類號(hào): G11C11/413
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：

存儲(chǔ)陣列，所述存儲(chǔ)陣列劃分為多個(gè)較小的存儲(chǔ)陣列；

預(yù)譯碼器，用于接收行地址并進(jìn)行所述行地址的第一次譯碼，所述預(yù)譯碼器在第一金屬層與所述第一次譯碼輸出的行地址線連接；

終譯碼器，用于接收經(jīng)第一次譯碼的行地址并進(jìn)行所述行地址的第二次譯碼，所述終譯碼器位于所述多個(gè)較小的存儲(chǔ)陣列之間，所述終譯碼器在所述第一金屬層下方的第二金屬層經(jīng)字線與所述存儲(chǔ)陣列連接，所述字線為所述第二次譯碼輸出的行地址線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，經(jīng)所述預(yù)譯碼器第一次譯碼的行地址為獨(dú)熱碼。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述預(yù)譯碼器為多個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述終譯碼器為多個(gè)，所述多個(gè)終譯碼器通過(guò)所述字線驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)較小的存儲(chǔ)陣列。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置為多端口半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置為SRAM、DRAM或ROM。

7.一種字線譯碼布線方法，所述字線用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)陣列，所述存儲(chǔ)陣列劃分為多個(gè)較小的存儲(chǔ)陣列，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括第一金屬層和所述第一金屬層的下方的第二金屬層，所述方法包括：

接收行地址并在所述第一金屬層對(duì)第一次譯碼的行地址進(jìn)行布線；

接收所述第一次譯碼的行地址并在所述第二金屬層對(duì)第二次譯碼的行地址進(jìn)行布線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的字線譯碼布線方法，其特征在于，經(jīng)所述第一次譯碼的行地址為獨(dú)熱碼。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的字線譯碼布線方法，其特征在于，多個(gè)預(yù)譯碼器進(jìn)行所述第一次譯碼。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的字線譯碼布線方法，其特征在于，多個(gè)終譯碼器進(jìn)行所述行地址的第二次譯碼，所述多個(gè)譯碼器通過(guò)所述字線驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)所述的多個(gè)較小的存儲(chǔ)陣列。