[發明專利]發光器件、發光器件封裝件以及包括其的照明裝置

有效

• 申請號: 201210171651.8
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN103035803B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 文智炯;李尚烈;鄭泳奎
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/48;F21V29/83;F21K9/23
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年10月10日在韓國提交的韓國專利申請10-2011-0102836的優先權，通過引用將其全部內容并入本文。

技術領域

實施方案涉及發光器件、發光器件封裝件以及包括其的照明裝置。

背景技術

使用III-V族或II-VI族化合物半導體材料的發光器件例如發光二極管(LED)和激光二極管(LD)通過利用薄膜生長技術和器件材料的開發可產生各種顏色例如紅色、綠色、藍色和紫外。其也能夠使用熒光材料或者通過混色來高效地產生白光。此外，與常規光源例如熒光燈和白熾燈相比，所述發光器件的優勢在于例如低功耗、半永久性壽命、快速響應時間、安全和環境友好。

因此，這些發光元件日益應用于光通信單元的傳輸模塊、作為替代構成液晶顯示(LCD)器件的背光的冷陰極熒光燈(CCFL)的發光二極管背光、以及使用白色發光二極管作為替代熒光燈或者白熾燈的照明裝置、車輛的前燈以及交通燈。

在具有通孔的發光器件的情況下，其厚度大于具有通常厚度的半導體層的發光器件的厚度。為此，由有源層產生的光在向外發射之前沿其行進的路徑的長度長，使得在設置于有源層上的半導體層中吸收的光量增加。結果，發光器件的光提取效率可降低。

發明內容

實施方案通過包含于發光器件中的半導體層的厚度減小來實現發光器件的光提取效率的提高。

在一個實施方案中，發光器件包括：包括第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層的發光結構；設置在發光結構下并且電連接至第二導電型半導體層的第二電極層；第一電極層，其包括：設置在第二電極層下的主電極、以及從主電極分支出的并且延伸穿過第二電極層、第二導電型半導體層和有源層以接觸第一導電型半導體層的至少一個接觸電極；以及介于第一電極層和第二電極層之間、以及第一電極層和發光結構之間的絕緣層，其中第一導電型半導體層包括第一區域和高度小于第一區域的第二區域，并且第一區域與接觸電極交疊。

在另一實施方案中，發光器件包括：包括沿預定方向堆疊的第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層的發光結構；設置在發光結構下并且電連接至第二導電型半導體層的第二電極層；第一電極層，其包括：設置在第二電極層下的主電極、以及從主電極分支出的并且延伸穿過第二電極層、第二導電型半導體層和有源層以接觸第一導電型半導體層的至少另一個接觸電極；以及介于第一電極層和第二電極層之間、以及第一電極層和發光結構之間的絕緣層，其中第一導電型半導體層包括第一區域和厚度小于第一區域的第二區域，并且第一區域與接觸電極沿預定方向交疊。

第一區域的寬度可等于或者大于接觸電極的寬度。

第一區域的寬度可相當于接觸電極的寬度的1～5倍。

在第一導電型半導體層的上表面處可形成粗糙結構或圖案。

發光器件可還包括形成在發光結構的側表面上的鈍化層，以覆蓋第二導電型半導體層的至少一部分、有源層的至少一部分、以及第一導電型半導體層的至少一部分。在接觸電極的接觸第一導電型半導體層的部分處可形成粗糙結構。

第二電極層的一部分可暴露于發光結構外部，并且可在第二電極層的暴露的部分上形成電極焊盤。

第二電極層可包括設置在第二導電型半導體層下的歐姆層和/或反射層。

第二電極層可包括電流擴散層，并且電極焊盤可設置為接觸電流擴散層。

發光器件可還包括形成在第一區域的側表面上的鈍化層。

第一區域可具有條形、圓柱形、圓錐形、棱錐形、四方棱柱形和半球形中的至少之一。

在另一實施方案中，發光器件封裝件包括：本體；安裝在本體上的第一和第二引線框；以及安裝在本體上并且電連接至第一和第二引線框的發光器件，其中所述發光器件包括：沿預定方向堆疊的第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層的發光結構；設置在發光結構下并且電連接至第二導電型半導體層的第二電極層；第一電極層，其包括：設置在第二電極層下的主電極、以及從主電極分支出的并且延伸穿過第二電極層、第二導電型半導體層和有源層以接觸第一導電型半導體層的至少一個接觸電極；以及介于第一電極層和第二電極層之間、以及第一電極層和發光結構之間的絕緣層；其中第一導電型半導體層包括第一區域和厚度小于第一區域的第二區域，并且第一區域與接觸電極沿預定方向交疊。