[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及包括其的照明裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210171651.8
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN103035803B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 文智炯;李尚烈;鄭泳奎
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/48;F21V29/83;F21K9/23
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

1.一種發(fā)光器件，包括：

包括第一導電型半導體層、有源層和第二導電型半導體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；

設(shè)置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下并且電連接至所述第二導電型半導體層的第二電極層；

第一電極層，包括：設(shè)置在所述第二電極層下的主電極，以及從所述主電極分支出的并且延伸穿過所述第二電極層、所述第二導電型半導體層和所述有源層以接觸所述第一導電型半導體層的至少一個接觸電極；以及

介于所述第一電極層和所述第二電極層之間、以及所述第一電極層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的絕緣層，

其中所述第一導電型半導體層包括沿垂直方向與所述接觸電極交疊的第一區(qū)域、以及沿垂直方向與所述接觸電極不交疊的第二區(qū)域，

其中所述接觸電極的上表面設(shè)置為低于所述第一導電型半導體層的在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的上表面，

以及所述接觸電極的所述上表面和所述第一導電型半導體層的在所述第一區(qū)域中的所述上表面之間的距離大于所述有源層的上表面和所述第一導電型半導體層的在所述第二區(qū)域中的所述上表面之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導電型半導體層、然后有源層以及所述第二導電型半導體層沿預定方向堆疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述第一區(qū)域的寬度等于或者寬于所述接觸電極的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述第一區(qū)域的寬度相當于所述接觸電極的寬度的1至5倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中在所述第一導電型半導體層的上表面處形成有粗糙結(jié)構(gòu)或圖案。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，還包括：

形成在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)表面上以覆蓋所述第二導電型半導體層的至少一部分、所述有源層的至少一部分、以及所述第一導電型半導體層的至少一部分的鈍化層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極層的一部分暴露于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)外部，并且在所述第二電極層的暴露部分上設(shè)置有電極焊盤。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極層包括設(shè)置在所述第二導電型半導體層下的歐姆層和反射層，以及所述歐姆層包括多個圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極層包括電流擴散層，并且所述電極焊盤設(shè)置為接觸所述電流擴散層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述第一區(qū)域具有條形、圓柱形、圓錐形、棱錐形、四方棱柱形或者半球形中的至少之一。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，還包括：

形成在所述第一區(qū)域的側(cè)表面上的鈍化層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的發(fā)光器件，其中在所述接觸電極的接觸所述第一導電型半導體層的部分處形成有粗糙結(jié)構(gòu)，以及所述接觸電極的粗糙結(jié)構(gòu)直接接觸所述第一導電型半導體層的內(nèi)側(cè)。