[發(fā)明專利]原子力納米探針樣品標(biāo)記方法以及集成電路制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210170387.6
• 申請(qǐng)日: 2012-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN102680742A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李劍;倪亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): G01Q30/20
• 分類號(hào): G01Q30/20
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種原子力納米探針樣品標(biāo)記方法以及采用了該原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的集成電路制造方法。

背景技術(shù)

由于要對(duì)原子力納米探針(AFP)樣品進(jìn)行定點(diǎn)分析，故需要用聚焦離子束(Focused?Ion?beam，F(xiàn)IB)在待檢測(cè)點(diǎn)附近做標(biāo)記?，F(xiàn)有技術(shù)的用聚焦離子束給原子力納米探針樣品做標(biāo)記的方法是：用聚焦離子束在樣品待檢測(cè)區(qū)域附近打一條細(xì)線。

但是，現(xiàn)有技術(shù)的用聚焦離子束給原子力納米探針樣品做標(biāo)記的方法所標(biāo)記的樣品，做標(biāo)記區(qū)域的高度差無(wú)法控制。具體地說(shuō)，由于不同材料在聚焦離子束機(jī)臺(tái)中的刻蝕速度不一樣，故聚焦離子束機(jī)臺(tái)中的對(duì)高度的控制無(wú)法完全準(zhǔn)確，所以用此方法做的標(biāo)記高度差完全是隨機(jī)的。

樣品的高度差有時(shí)會(huì)很小，以至于在原子力納米探針機(jī)臺(tái)的光學(xué)顯微鏡(OM)或甚至在原子力納米探針里無(wú)法觀察到標(biāo)記；而樣品高度差太大，導(dǎo)致的直接后果是原子力納米探針的針尖被弄粗甚至撞彎。

由此，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，存在利用聚焦離子束給原子力納米探針測(cè)試樣品做標(biāo)記之后，樣品標(biāo)記區(qū)域高度差太多致使原子力納米探針無(wú)法測(cè)試的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠在利用聚焦離子束給原子力納米探針測(cè)試樣品做標(biāo)記之后使標(biāo)記區(qū)域高度差變小以便能夠測(cè)試原子力納米探針的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法、

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種原子力納米探針樣品標(biāo)記方法，其包括：失效點(diǎn)查找步驟，用于采用聚焦離子束在原子力納米探針樣品內(nèi)找到失效點(diǎn)；失效點(diǎn)標(biāo)記步驟，用于在失效點(diǎn)相距不大于特定距離的范圍內(nèi)用聚焦離子束進(jìn)行標(biāo)記；標(biāo)記填充步驟，用于采用聚焦離子束在所述標(biāo)記中填入填充材質(zhì)；以及待測(cè)試層研磨步驟，用于采用研磨裝置對(duì)原子力納米探針樣品進(jìn)行研磨，以去除待測(cè)試層之上的所有層的至少一部分。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，所述標(biāo)記形成了一個(gè)凹槽，并且所述凹槽的的深度確保了所述標(biāo)記到達(dá)待測(cè)試層。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，所述失效點(diǎn)標(biāo)記步驟在失效點(diǎn)查找步驟之后執(zhí)行，所述標(biāo)記填充步驟在所述失效點(diǎn)標(biāo)記步驟之后執(zhí)行，所述待測(cè)試層研磨步驟在所述標(biāo)記填充步驟之后執(zhí)行。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，所述特定距離為3um～20um。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，所述填充材質(zhì)包括金屬、碳、氧化物。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，在標(biāo)記填充步驟中，在填充材質(zhì)填滿標(biāo)記所形成的凹槽之后停止填充。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，在標(biāo)記填充步驟的執(zhí)行過(guò)程中，周期性地用電子光束觀測(cè)聚焦離子束所填充的填充材質(zhì)的厚度，并且在判斷聚焦離子束所填充的填充材質(zhì)的厚度到達(dá)標(biāo)記的深度時(shí)，停止填充。

優(yōu)選地，上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法還包括圖像掃描步驟，用于周期性地采用聚焦離子束中的掃描電子顯微鏡對(duì)原子力納米探針樣品掃描一張圖像。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，所述圖像掃描步驟可在標(biāo)記填充步驟執(zhí)行的同時(shí)執(zhí)行。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，所述研磨裝置是拋光絨布。

優(yōu)選地，在上述原子力納米探針樣品標(biāo)記方法中，在待測(cè)試層研磨步驟中，對(duì)原子力納米探針樣品進(jìn)行研磨，以去除待測(cè)試層之上的所有層的一部分，而留下待測(cè)試層之上的兩層或兩層以上。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種采用了根據(jù)本發(fā)明的第一方面所述的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的集成電路制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法使得被標(biāo)記區(qū)域的高度差(深度差)能被有效控制，從而利于測(cè)試。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的失效點(diǎn)查找步驟。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的失效點(diǎn)標(biāo)記步驟。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的標(biāo)記填充步驟。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的圖像掃描步驟。

圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的原子力納米探針樣品標(biāo)記方法的待測(cè)試層研磨步驟。