[發明專利]原子力納米探針樣品標記方法以及集成電路制造方法

無效

• 申請號: 201210170387.6
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102680742A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 李劍;倪亮
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01Q30/20
• 分類號: G01Q30/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于包括：

失效點查找步驟，用于采用聚焦離子束在原子力納米探針樣品內找到失效點；失效點標記步驟，用于在失效點相距不大于特定距離的范圍內用聚焦離子束進行標記；

標記填充步驟，用于采用聚焦離子束在所述標記中填入填充材質；以及

待測試層研磨步驟，用于采用研磨裝置對原子力納米探針樣品進行研磨，以去除待測試層之上的所有層的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，所述標記形成了一個凹槽，并且所述凹槽的的深度確保了所述標記到達待測試層。

3.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，所述失效點標記步驟在失效點查找步驟之后執行，所述標記填充步驟在所述失效點標記步驟之后執行，所述待測試層研磨步驟在所述標記填充步驟之后執行。

4.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，所述特定距離為3um～20um。

5.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，所述填充材質包括金屬、碳、氧化物。

6.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，在標記填充步驟中，在填充材質填滿標記所形成的凹槽之后停止填充。

7.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，在標記填充步驟的執行過程中，周期性地用電子光束觀測聚焦離子束所填充的填充材質的厚度，并且在判斷聚焦離子束所填充的填充材質的厚度到達標記的深度時，停止填充。

8.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于還包括圖像掃描步驟，用于周期性地采用聚焦離子束中的掃描電子顯微鏡對原子力納米探針樣品掃描一張圖像。

9.根據權利要求8所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，所述圖像掃描步驟可在標記填充步驟執行的同時執行。

10.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，所述研磨裝置是拋光絨布。

11.根據權利要求1或2所述的原子力納米探針樣品標記方法，其特征在于，在待測試層研磨步驟中，對原子力納米探針樣品進行研磨，以去除待測試層之上的所有層的一部分，而留下待測試層之上的兩層或兩層以上。

12.一種采用了根據權利要求1至11之一所述的原子力納米探針樣品標記方法的集成電路制造方法。